BS0060N-A 是一款由 Brightking(长电科技)生产的 N 沟道功率 MOSFET,适用于高频率开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关性能,有助于提高系统效率并减少发热。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤6.0mΩ(在Vgs=10V)
工作温度范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
BS0060N-A 具备多项优异特性,使其在高功率和高效率电源系统中表现突出。首先,其低导通电阻(Rds(on))降低了导通损耗,从而提高了整体能效。其次,该MOSFET具有高耐压能力(Vds=60V),适用于多种中高压应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。
此外,BS0060N-A 采用 TO-263(D2PAK)表面贴装封装,具备良好的热管理性能,可有效散热,提高器件在高电流条件下的稳定性。其封装形式也便于自动化装配,适用于现代电子产品的大规模生产。
该器件还具备良好的开关特性,具有快速的上升和下降时间,从而减少开关损耗,适用于高频开关电源设计。此外,其栅极驱动电压范围较宽(最高可至10V),兼容多种驱动电路,增强了设计灵活性。
从可靠性角度来看,BS0060N-A 在制造过程中采用了先进的工艺技术,具备良好的抗雪崩能力和抗过载能力,适用于严苛的工作环境。
BS0060N-A 主要应用于各类高效率电源管理系统,如服务器电源、电信设备电源、笔记本电脑适配器和DC-DC转换模块。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件非常适合用于同步整流电路,以提高电源转换效率。
在电池管理系统中,BS0060N-A 可用于负载开关控制,实现对电池供电设备的高效管理。此外,该MOSFET还可用于电机驱动电路、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关控制。
由于其优异的热性能和封装形式,BS0060N-A 也广泛用于需要高可靠性和高稳定性的车载电子系统,如车载充电器、逆变器和能量回收系统等。
在消费类电子产品中,如智能电视、游戏机和高性能音响设备中,该器件可用于电源稳压和功率分配,以确保设备在高负载条件下的稳定运行。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1010EZ, FDS6680, AO4407A