时间：2025/8/14 2:29:41
阅读：7
BS0060M 是一款由 Brightking（长电科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率的 DC-DC 转换器和负载开关等应用而设计。BS0060M 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。该器件采用 SOT-23 封装，体积小巧，适用于空间受限的便携式电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：60mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-23
BS0060M 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在低电压应用中表现出色，特别是在 4.5V 栅极驱动电压下具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg）和快速开关特性使其非常适合用于高频开关电源应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
此外，BS0060M 具备良好的热稳定性，SOT-23 小型封装不仅节省空间，还具备较高的热阻能力，使其在高电流条件下仍能保持良好的散热性能。这使得该器件非常适合用于电池供电设备、手持设备、笔记本电脑和电源管理模块。
其栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 以上的控制信号，兼容多种逻辑电平驱动器，增强了其在不同电路设计中的适用性。同时，器件内部具备较高的雪崩能量承受能力，提高了在异常工作条件下的可靠性。
BS0060M 广泛应用于多种低电压、高效率的功率电子系统中。常见用途包括 DC-DC 转换器中的同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源控制电路，以及各类需要低导通电阻和高开关速度的功率控制场合。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, FDV301N
