时间：2025/8/7 7:25:29
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BRD1260C-TL 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备、电池供电系统以及各类电源管理电路。BRD1260C-TL 采用 SOT26 封装，具有较小的封装体积，适合高密度 PCB 设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：-6A
导通电阻 Rds(on)：45mΩ（典型值）@ Vgs = -4.5V
导通电阻 Rds(on)：50mΩ（最大值）@ Vgs = -2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT26
功率耗散：300mW
热阻 RθJA：417°C/W
BRD1260C-TL MOSFET 的核心优势在于其较低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在 Vgs = -4.5V 时，Rds(on) 的典型值为 45mΩ，而在较低的栅极驱动电压（如 -2.5V）下，Rds(on) 也仅为 50mΩ，这使得该器件能够在有限的驱动条件下保持良好的性能。
此外，该 MOSFET 支持高达 -6A 的连续漏极电流，具备较强的负载能力，适用于中高功率应用。其 -20V 的漏源耐压确保了在各种电源系统中的稳定性和可靠性，例如电池管理、DC-DC 转换器和负载开关等。
由于采用 SOT26 小型封装，BRD1260C-TL 在空间受限的应用中具有明显优势，同时具备良好的散热性能。其热阻 RθJA 为 417°C/W，表明其在 PCB 上的热管理需要合理设计以确保长期稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±12V，兼容多种驱动电路设计。在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内，BRD1260C-TL 均能保持稳定性能，适用于工业级和消费级电子设备。
BRD1260C-TL 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能和小型化设计的电源管理系统中。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的负载开关、电池保护电路、DC-DC 转换器和电源路径管理。
在电池供电系统中，该 MOSFET 可用于实现低功耗、高效率的电源切换，帮助延长设备的续航时间。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于电机驱动、LED 照明控制和电源分配系统。
此外，BRD1260C-TL 还可用于工业控制设备、电源适配器和各类嵌入式系统中，作为高性能开关元件使用。
Si4435DY-T1-GE3, TPC8103-H,HM2101, AO4406A, FDC640P
