时间：2025/8/7 4:42:52
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BRD1161C-TL 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。这款器件采用紧凑型封装，适用于空间受限的设计，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等。BRD1161C-TL 在设计上优化了导通电阻和开关性能，以满足高效率和低功耗需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20 V
栅源电压（VGS）：±12 V
连续漏极电流（ID）：6 A
导通电阻（RDS(on)）：32 mΩ @ VGS=4.5 V
功率耗散（PD）：2.5 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
BRD1161C-TL MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。该器件在 4.5V 栅极驱动电压下的导通电阻仅为 32 mΩ，这使其非常适合用于低电压驱动电路，例如由微控制器或数字逻辑电路控制的电源管理设计。
此外，BRD1161C-TL 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 6A，能够在较高的负载条件下稳定运行。其最大漏源电压为 20V，适用于多种低压电源转换和管理应用，如同步整流、负载开关、电机驱动等。
BRD1161C-TL MOSFET 广泛应用于需要高效功率控制和小型化设计的电子设备中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流，提高转换效率并减少热量产生。在负载开关应用中，BRD1161C-TL 可用于控制电源分配，实现快速开关操作并降低待机功耗。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P
