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PSMN5R6-60YLX 发布时间 时间:2025/9/15 0:45:34 查看 阅读:6

PSMN5R6-60YLX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率开关应用,具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。PSMN5R6-60YLX采用先进的Trench沟槽技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其适用于各类功率转换器和负载管理电路。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25°C:120A
  导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:LFPAK56(Power-SO8兼容)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

PSMN5R6-60YLX具备多项优异的电气和物理特性。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提升整体能效。该器件的高电流承载能力(120A)使其适用于大功率负载切换和电源管理系统。
  其次,该MOSFET采用LFPAK56封装,具有出色的热性能和机械稳定性。该封装技术有助于快速散热,提高器件在高温环境下的可靠性。此外,LFPAK56封装还支持双面散热设计,适用于高密度PCB布局和自动化组装流程。
  该器件的栅极驱动电压范围为±20V,支持快速开关操作,同时具备良好的抗雪崩能力,提高了在高能量脉冲条件下的可靠性。PSMN5R6-60YLX还具备高dv/dt抗扰度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流和电机控制电路。
  此外,PSMN5R6-60YLX符合RoHS标准,无卤素,支持环保设计。

应用

PSMN5R6-60YLX广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。常见应用包括:
  ? 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)等
  ? 电机控制:如无刷直流电机(BLDC)、伺服驱动器和电动工具
  ? 汽车电子:如车载充电器(OBC)、48V轻混系统、电动助力转向系统(EPS)等
  ? 工业自动化:如PLC、伺服驱动器和工业电源
  ? 服务器和通信设备:如高密度电源模块、热插拔电源管理电路
  由于其出色的导热性能和紧凑的封装形式,PSMN5R6-60YLX也适用于需要节省空间和提升热管理能力的设计。

替代型号

IPB013N06N G、PSMN6R8-60YSF、IRF1324S-7PPBF、SiR136DP-T1-GE3、FDS6680、FDMS7680

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PSMN5R6-60YLX参数

  • 现有数量11,355现货
  • 价格1 : ¥9.94000剪切带(CT)1,500 : ¥4.52763卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.6 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)66.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5026 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)167W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK56,Power-SO8
  • 封装/外壳SC-100,SOT-669