PSMN5R6-60YLX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率开关应用,具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。PSMN5R6-60YLX采用先进的Trench沟槽技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其适用于各类功率转换器和负载管理电路。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID)@25°C:120A
导通电阻(RDS(on)):5.6mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
封装类型:LFPAK56(Power-SO8兼容)
安装方式:表面贴装(SMD)
PSMN5R6-60YLX具备多项优异的电气和物理特性。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提升整体能效。该器件的高电流承载能力(120A)使其适用于大功率负载切换和电源管理系统。
其次,该MOSFET采用LFPAK56封装,具有出色的热性能和机械稳定性。该封装技术有助于快速散热,提高器件在高温环境下的可靠性。此外,LFPAK56封装还支持双面散热设计,适用于高密度PCB布局和自动化组装流程。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V,支持快速开关操作,同时具备良好的抗雪崩能力,提高了在高能量脉冲条件下的可靠性。PSMN5R6-60YLX还具备高dv/dt抗扰度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流和电机控制电路。
此外,PSMN5R6-60YLX符合RoHS标准,无卤素,支持环保设计。
PSMN5R6-60YLX广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。常见应用包括:
? 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)等
? 电机控制:如无刷直流电机(BLDC)、伺服驱动器和电动工具
? 汽车电子:如车载充电器(OBC)、48V轻混系统、电动助力转向系统(EPS)等
? 工业自动化:如PLC、伺服驱动器和工业电源
? 服务器和通信设备:如高密度电源模块、热插拔电源管理电路
由于其出色的导热性能和紧凑的封装形式,PSMN5R6-60YLX也适用于需要节省空间和提升热管理能力的设计。
IPB013N06N G、PSMN6R8-60YSF、IRF1324S-7PPBF、SiR136DP-T1-GE3、FDS6680、FDMS7680