时间：2025/5/28 18:00:58
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BR80N08A是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
BR80N08A的设计旨在满足高效率、高性能的应用需求，适用于各种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：38nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
BR80N08A具备以下主要特性：
1. 低导通电阻：有助于减少导通状态下的功耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力：较低的栅极电荷使其能够实现快速开关，适合高频应用。
3. 高电流处理能力：支持高达16A的连续漏极电流，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 宽工作温度范围：能够在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作，适应各种环境条件。
5. 热稳定性：TO-220封装提供良好的散热性能，有助于延长器件寿命。
BR80N08A适用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换方案。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP17N10
AO3400
