时间：2025/8/15 4:45:20
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BR28F T/R 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效功率开关的应用场景，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。BR28F T/R 采用小型表面贴装封装（SOP），适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（@ Vgs = 10V）
导通电阻（Rds(on)）：28Ω（@ Vgs = 10V）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP
BR28F T/R 具备低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其28Ω的Rds(on)值在低电流应用中表现良好，适合用于小功率开关控制。该MOSFET采用SOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
此外，BR28F T/R 的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同电源条件下稳定工作，增强了其在多种应用场景中的适用性。其最大漏源电压为30V，能够承受一定的瞬态电压冲击，提高了器件的可靠性。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下正常运行。适用于电池供电设备、小型电机控制电路、LED 驱动电路等需要低功耗和小型化设计的电子系统。
BR28F T/R 广泛应用于各种低功耗电子设备中，包括但不限于：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）、小型电机驱动电路、LED 照明控制系统、电源管理模块、DC-DC 转换器以及各种类型的负载开关控制电路。由于其小型封装和良好的电气性能，特别适合用于需要节省空间和降低功耗的设计场景。
2N7002, BSS138, 2N3904
