您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BR25H040FJ-W

BR25H040FJ-W 发布时间 时间:2025/7/23 20:04:46 查看 阅读:6

BR25H040FJ-W 是一款由Rohm(罗姆)公司生产的4Mbit(512K x 8)串行EEPROM,采用先进的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)技术。该芯片支持通过标准的SPI(Serial Peripheral Interface)总线进行通信,适用于需要非易失性存储和频繁数据更新的应用场景。BR25H040FJ-W 的工作电压范围为1.7V至5.5V,具备宽电压适应能力,适用于多种电源环境。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:512K x 8
  接口类型:SPI
  工作电压:1.7V 至 5.5V
  最大时钟频率:40MHz(SPI)
  写入周期时间:5ms(典型值)
  数据保持时间:100年
  擦写次数:100万次
  封装形式:8引脚TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

BR25H040FJ-W 采用高性能EEPROM技术,具备高可靠性和长寿命,支持高达100万次的擦写操作,数据保持时间长达100年。其宽电压工作范围(1.7V至5.5V)使其适用于多种电源管理系统,特别适合于电池供电设备和低功耗应用。该芯片支持高速SPI接口,最大时钟频率可达40MHz,能够实现快速的数据读写操作。
  此外,BR25H040FJ-W 集成了写保护功能,防止在电源不稳定或系统复位期间对存储器的误写入。其8引脚TSSOP封装设计使其适合用于空间受限的电路板设计,并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
  该芯片还具备低功耗待机模式,在非工作状态下电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的续航时间。其广泛的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业级应用环境。

应用

BR25H040FJ-W 广泛应用于工业自动化设备、智能仪表、消费电子产品、通信模块、医疗设备以及汽车电子系统中。适用于存储系统配置参数、设备序列号、校准数据、日志信息等需要长期保存的数据。由于其高可靠性,也常用于需要频繁更新数据的场合,如POS终端、数据记录器和传感器节点。

替代型号

BR25H040F-3
   BR25H040FJ-3
   BR25H040FJ-W

BR25H040FJ-W推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BR25H040FJ-W资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载