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BR25G640FVT-3GE2 发布时间 时间:2025/11/7 21:36:05 查看 阅读:20

BR25G640FVT-3GE2是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的串行EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)芯片。该器件采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,具有64Kbit(即8K x 8位)的存储容量,广泛应用于需要非易失性数据存储的小型电子系统中。该芯片设计用于在工业级温度范围内稳定工作,具备高可靠性、低功耗和高速通信能力,适用于多种嵌入式应用场景。
  BR25G640FVT-3GE2采用紧凑的SOP8封装形式,适合空间受限的应用环境。其内部结构划分为多个可寻址的存储页,支持字节写入和页写入操作,并具备写保护功能以防止误写或非法访问。该器件还集成了片上定时器,确保在写入操作期间自动完成编程过程,用户无需手动轮询状态寄存器。此外,它支持标准SPI模式0和模式3,兼容大多数微控制器的SPI接口配置。
  该芯片的工作电压范围为1.7V至5.5V,使其能够在宽电源条件下运行,适应电池供电设备以及工业控制系统等多种供电环境。内置的高耐久性存储单元支持最多100万次的擦写循环,并能保证数据保存时间长达100年。这些特性使BR25G640FVT-3GE2成为对数据持久性和系统稳定性要求较高的应用中的理想选择。

参数

型号:BR25G640FVT-3GE2
  制造商:Rohm
  类型:串行EEPROM
  接口:SPI
  存储容量:64 Kbit (8K x 8)
  工作电压:1.7V ~ 5.5V
  时钟频率:最大支持20MHz
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOP8 (Surface Mount)
  写保护功能:有
  待机电流:典型值0.1μA(最大1μA)
  工作电流:典型值3mA(在5V,20MHz下)
  写入耐久性:1,000,000次
  数据保持时间:100年
  写入时间:最大5ms(页写入或字节写入)
  支持SPI模式:模式0(CPOL=0, CPHA=0)和模式3(CPOL=1, CPHA=1)

特性

BR25G640FVT-3GE2具备出色的电气性能与高可靠性,是工业与消费类电子产品中常用的非易失性存储解决方案之一。其核心特性之一是宽电压工作范围(1.7V至5.5V),这使得该芯片不仅适用于传统的5V系统,也能无缝集成到现代低功耗3.3V、2.5V甚至1.8V的嵌入式系统中,极大增强了系统的兼容性与设计灵活性。这一特性特别适合多电源域共存的复杂电路板设计,避免了额外电平转换器的需求,从而降低整体成本与布线复杂度。
  该芯片支持高达20MHz的SPI时钟速率,能够实现快速的数据读写操作,显著提升系统响应速度,尤其适用于需要频繁进行参数记录或配置信息读取的应用场景。例如,在传感器模块中实时保存校准数据,或在工业PLC中记录运行日志等。同时,其内部集成的状态寄存器允许主机查询当前是否处于写入忙状态,配合自动定时控制机制,简化了软件驱动开发流程。
  在可靠性方面,BR25G640FVT-3GE2提供百万次的擦写寿命和长达100年的数据保持能力,远超一般应用的实际需求,确保长期使用下的数据完整性。芯片还内置硬件写保护功能,通过WP引脚可锁定特定地址区域或整个存储空间,有效防止因噪声干扰、程序异常或人为错误导致的关键数据被覆盖或删除。此外,该器件符合环保标准,采用无铅工艺和符合RoHS指令的材料,适用于出口型产品及绿色电子产品认证。
  封装上采用SOP8小型表面贴装形式,便于自动化贴片生产,节省PCB空间的同时具备良好的热稳定性和机械强度。整体设计兼顾高性能、小体积与易用性,满足现代电子设备向轻薄化、智能化发展的趋势。

应用

BR25G640FVT-3GE2广泛应用于各类需要非易失性数据存储的电子系统中。常见用途包括工业自动化控制设备中的配置参数存储,如PLC模块、远程I/O单元和HMI人机界面,用于保存用户设定值、设备编号和通信地址等关键信息。在消费类电子产品中,该芯片可用于智能家电(如洗衣机、空调)中存储运行模式、故障代码和累计使用时间等数据。
  在医疗设备领域,该芯片可用于便携式监护仪或血糖仪中保存患者历史测量记录和设备校准参数,确保断电后信息不丢失。汽车电子系统中,它常用于车载传感器模块、ECU辅助存储或车载娱乐系统的个性化设置记忆功能。此外,在通信设备如路由器、交换机和光模块中,BR25G640FVT-3GE2可用于存储MAC地址、序列号、增益补偿系数等重要标识信息。
  由于其支持宽温范围(-40°C至+85°C)和高抗干扰能力,该芯片也适用于户外设备、智能电表、安防监控系统和物联网节点等严苛环境下的应用。结合低功耗特性,它还可用于电池供电的无线传感器网络节点中,周期性地记录环境数据并维持长时间运行。总体而言,凡是需要可靠、耐用且易于接口的串行EEPROM场合,BR25G640FVT-3GE2都是一个理想的选择。

替代型号

M95640-DRMN6TP
  CAT25640VI-GT3
  AT25DN641A-SSHD-B

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BR25G640FVT-3GE2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)3,000 : ¥2.43598卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式EEPROM
  • 技术EEPROM
  • 存储容量64Kb
  • 存储器组织8K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页5ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.6V ~ 5.5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装8-TSSOP-B