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BR24T64FVT-WE2 发布时间 时间:2025/12/25 11:13:11 查看 阅读:16

BR24T64FVT-WE2是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的串行EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)芯片,采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高可靠性以及宽工作电压范围的特点。该器件的存储容量为64Kbit,组织形式为8K x 8位,适合用于需要非易失性数据存储的应用场景。BR24T64FVT-WE2支持I2C总线通信协议,兼容标准(100kHz)、快速(400kHz)和高速(1MHz)模式,能够与多种微控制器和处理器无缝对接,实现高效的数据读写操作。该芯片封装形式为SOT-23-5,体积小巧,非常适合对空间要求严格的便携式电子设备。此外,该器件工作温度范围广泛,通常支持-40°C至+85°C的工业级温度范围,确保在各种恶劣环境下仍能稳定运行。内置写保护功能可防止意外写入或擦除操作,提高数据安全性。片上具备块写保护机制,并支持部分地址锁定功能,进一步增强了系统的可靠性。该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备、汽车电子以及其他需要可靠非易失性存储的场合。ROHM还为该系列器件提供了完善的质量保证和长期供货承诺,适用于需要长期维护和批量生产的产品设计。

参数

类型:EEPROM
  接口类型:I2C
  存储容量:64 Kbit
  组织结构:8K x 8
  工作电压:1.7V ~ 5.5V
  时钟频率:最高1MHz
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOT-23-5
  写保护功能:有
  页写入大小:32字节
  写入周期时间:典型5ms
  待机电流:最大1μA
  工作电流:最大3mA
  可靠性:100万次写入/100年数据保持

特性

BR24T64FVT-WE2具备多项先进特性,使其在同类EEPROM产品中表现出色。首先,其宽电压工作范围(1.7V至5.5V)允许它在多种供电环境下稳定运行,无论是使用锂电池供电的便携设备,还是采用标准5V电源的工业控制系统,都能良好适配。这种灵活性大大扩展了其应用范围,并减少了因电压波动导致的系统异常风险。
  其次,该芯片支持高达1MHz的I2C通信速率,在高速模式下显著提升了数据传输效率,特别适用于需要频繁读写操作的应用场景,如实时数据记录、配置参数存储等。同时,其兼容标准和快速模式的能力也确保了与现有系统的良好互操作性。
  再者,器件集成了片上写保护机制,包括硬件写保护引脚(WP)和软件写保护命令,有效防止误操作造成的关键数据丢失或损坏。用户可通过拉低WP引脚来全局禁用写入操作,也可通过特定指令锁定部分存储区域,实现更精细的数据管理策略。
  该芯片采用低功耗设计,待机电流低至1μA以下,非常适合电池供电设备以延长续航时间。其内部具备自动定时写入结束检测功能,无需外部监控写入状态,简化了主控程序的设计复杂度。每个器件均经过严格测试,保证至少100万次的擦写寿命和长达100年的数据保持能力,满足高可靠性应用的需求。
  此外,SOT-23-5的小型化封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴装,有助于降低生产成本。整体设计符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保。

应用

BR24T64FVT-WE2广泛应用于多个领域。在消费电子方面,常用于智能手机、平板电脑、智能手表中的配置信息存储,例如屏幕校准参数、用户偏好设置等;在工业控制领域,可用于PLC模块、传感器节点中保存设备序列号、标定数据或运行日志;在通信设备中,作为网络路由器、交换机的MAC地址或其他配置信息的存储介质;在汽车电子中,应用于车载娱乐系统、仪表盘、ECU单元中进行参数备份与恢复;此外,还常见于医疗设备、智能家居控制器、POS终端等需要可靠非易失性存储的场合。其高可靠性与宽温特性使其尤其适合部署在环境条件复杂的工业现场或户外设备中。

替代型号

M95640-DRMN6TP,MCP4561T-103E/MNY,AT24C64D-XHM-T

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BR24T64FVT-WE2参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器EEPROMs - 串行
  • 存储器类型EEPROM
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度400kHz
  • 接口I²C,2 线串口
  • 电源电压1.7 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP-B
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BR24T64FVT-WE2TR