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C8963-80075 发布时间 时间:2025/12/27 0:42:51 查看 阅读:16

C8963-80075是一款由Skyworks Solutions(思佳讯)生产的射频二极管,主要用于高性能射频和微波应用。该器件属于PIN二极管类别,广泛应用于通信系统中的射频开关、衰减器以及调制电路中。C8963-80075采用先进的硅外延平面技术制造,具备优异的高频性能、低插入损耗和高可靠性。其封装形式为小型表面贴装(SOD-323或类似),适合在空间受限的高频PCB设计中使用,尤其适用于无线基础设施、点对点微波通信、卫星通信和测试测量设备等高端应用场景。
  该二极管在设计上优化了载流子寿命与结电容之间的平衡,使其在宽频率范围内表现出稳定的开关特性。此外,C8963-80075具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够在恶劣的工作环境下保持性能一致性。作为Skyworks成熟产品线的一部分,该器件符合RoHS环保标准,并通过了严格的工业级可靠性认证,适用于大批量自动化生产和长期运行的通信设备中。

参数

型号:C8963-80075
  制造商:Skyworks Solutions
  二极管类型:PIN二极管
  最大反向电压:75 V
  最大平均电流:100 mA
  结温范围:-65 °C 至 +175 °C
  存储温度范围:-65 °C 至 +175 °C
  正向压降(IF=1mA):典型值 0.85 V
  反向恢复时间:典型值 10 ns
  串联电阻(Rs):典型值 1.2 Ω
  零偏置结电容(Cj):典型值 0.4 pF
  封装类型:SOD-323

特性

C8963-80075作为一款高性能PIN二极管,在射频开关和可变衰减器应用中展现出卓越的技术优势。其核心特性之一是极低的零偏置结电容(典型值仅为0.4 pF),这一参数对于高频信号路径至关重要,能够显著降低信号耦合损失并提升隔离度,尤其在GHz频段以上表现优异。同时,该器件具备较低的串联电阻(Rs ≈ 1.2 Ω),这有助于减少导通状态下的插入损耗,提高整体系统效率。由于采用了优化的硅外延工艺,C8963-80075实现了精确可控的载流子寿命,从而确保了快速且一致的开关响应时间,典型反向恢复时间为10 ns,满足高速射频切换需求。
  该二极管的最大反向电压可达75V,具备较强的耐压能力,适用于多种电源配置环境。其正向压降在1mA测试条件下典型值为0.85V,表明其具有良好的导通特性与能效表现。工作结温范围宽达-65°C至+175°C,显示出出色的热稳定性,可在极端温度条件下可靠运行,适合部署于户外基站、航空航天及工业级设备中。器件还具备良好的抗静电放电(ESD)能力,增强了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
  SOD-323封装形式不仅体积小巧,节省PCB空间,而且支持自动化贴片生产,便于集成到高密度射频模块中。此外,该器件无铅且符合RoHS指令要求,满足现代电子产品对环保法规的合规性。综合来看,C8963-80075凭借其高频性能、紧凑封装、高可靠性和成熟的制造工艺,成为现代宽带通信系统中不可或缺的关键元件。

应用

C8963-80075广泛应用于各类高频射频系统中,典型使用场景包括移动通信基站的射频前端模块、天线调谐单元、双工器和开关滤波器组。其低电容和低串联电阻特性使其非常适合构建高性能SPDT或多路射频开关,在LTE、5G NR等蜂窝网络设备中实现频段选择和信号路由。此外,该器件也常用于点对点微波回传链路中的可变衰减器电路,通过控制偏置电流调节射频信号强度,实现自动增益控制(AGC)功能。
  在测试与测量仪器领域,如矢量网络分析仪(VNA)和信号发生器中,C8963-80075被用于构建高速射频通道切换系统,确保测试信号路径的稳定性和重复性。其高可靠性也使其适用于航空航天与国防电子系统,例如雷达TR组件、电子战(EW)系统和卫星通信终端,在这些应用中需要长时间无故障运行和抵抗恶劣环境的能力。此外,该二极管还可用于工业无线传感器网络、物联网(IoT)网关以及宽带无线接入设备中的射频控制电路,提供高效、稳定的信号管理解决方案。

替代型号

SMS7621-079LF
  BAR50-02V
  BAS70-04

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