型号：BR24T128FVT-WE2
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　存储容量：128 Kbit (16K x 8)
　　接口类型：I2C (Two-wire Serial Interface)
　　工作电压：1.7V ~ 5.5V
　　时钟频率：最高支持1 MHz (Fast-mode Plus)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-23-5
　　写保护引脚：有 (WP Pin)
　　自定时写入周期：典型值5 ms
　　待机电流：最大1 μA
　　工作电流：最大1 mA @ 5V/1MHz
　　存储寿命：10^6 次擦写
　　数据保持时间：100 年

BR24T128FVT-WE2具有多项先进特性，确保其在复杂电子系统中的高性能与可靠性。
　　首先，该芯片采用I2C通信协议，仅需两根信号线（SDA和SCL）即可完成数据传输，极大简化了电路布线，减少了PCB占用面积和系统引脚资源消耗。其支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及快速模式Plus（1MHz），能够满足高速数据存取需求，尤其适用于实时性要求较高的应用场景。在低功耗设计方面，该器件具备极低的待机电流（最大1μA），使其非常适合电池供电设备，如无线传感器节点、可穿戴设备和远程监控终端等，在长时间休眠状态下仍能有效延长电池使用寿命。
　　其次，BR24T128FVT-WE2内置写保护机制，通过外部WP引脚可将整个存储器设置为只读状态，防止在上电/掉电过程或系统异常时发生意外写入或擦除操作，从而保障关键数据的安全性与完整性。该功能对于保存校准参数、设备序列号或加密密钥等重要信息尤为重要。
　　再者，该器件支持片内地址自动递增功能，在连续读取或多字节写入过程中无需重新发送地址，提升了通信效率。同时，其具备高耐久性，可实现高达100万次的编程/擦除周期，远超传统EEPROM平均水平，适合频繁更新数据的应用场合。数据保持能力长达100年，确保长期断电后信息不丢失。
　　此外，BR24T128FVT-WE2采用抗噪声设计，增强了在电磁干扰较强环境下的稳定性。其宽电压工作范围（1.7V~5.5V）使其不仅能兼容3.3V和5V逻辑系统，还能在电压波动较大的环境中稳定运行，提升了系统的适应能力和鲁棒性。整体设计符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下可靠工作，适用于汽车电子、工业自动化和户外设备等领域。

BR24T128FVT-WE2广泛应用于需要小尺寸、低功耗和高可靠性非易失性存储的电子系统中。
　　在消费类电子产品中，常用于智能手机、平板电脑、数码相机和音频设备中，用于存储用户设置、配置参数、设备校准数据或固件补丁信息。其SOT-23-5小型封装非常适合高密度布局的移动设备主板。
　　在工业控制领域，该芯片可用于PLC模块、传感器变送器、智能仪表和远程I/O单元中，用于保存设备ID、测量偏移量、报警阈值或通信配置等关键参数。其宽温特性和抗干扰能力确保在工厂环境中长期稳定运行。
　　在汽车电子方面，适用于车载传感器、ECU辅助存储、车窗控制模块和无钥匙进入系统，用于存储车辆配置信息、个性化设置或故障日志数据。尽管不直接用于安全气囊或动力系统等ASIL等级要求高的场景，但在车身电子子系统中表现优异。
　　此外，该器件也常见于医疗设备、智能家居节点、物联网终端和RFID标签读写器中，作为系统参数存储或事件记录单元。例如，在智能电表中用于保存电量累计值、通信地址和时间戳；在无线温湿度传感器中用于存储校准系数和设备唯一标识符。其低功耗特性使其适用于能量采集供电或电池长期工作的无线传感网络。
　　由于其I2C接口通用性强，易于与各种微控制器（如STM32、ESP32、Arduino等）集成，开发门槛低，因此也被广泛用于原型设计和教育实验平台中。

M95M01-RMN6P, AT24CM01-SSHM-T, CAT24M01JI-GT3, FM24V10-G