型号：BR24S16FVT-WE2
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　存储容量：16 Kbit (2 K × 8)
　　接口类型：I2C（两线串行接口）
　　工作电压范围：1.7 V 至 5.5 V
　　时钟频率：最高400 kHz（Fast-mode）
　　写入耐久性：1,000,000 次/字节
　　数据保持时间：100 年以上
　　封装类型：SOT-23-5
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写保护功能：有（通过WP引脚）
　　自定时写周期：典型值5 ms
　　待机电流：最大1 μA（典型值0.1 μA）
　　工作电流：读取时最大300 μA（@ 100kHz）

BR24S16FVT-WE2具备卓越的宽电压操作能力，支持从1.7V到5.5V的电源范围，这使得它能够无缝集成到多种供电环境中，无论是3.3V主流数字系统还是低至1.8V的低功耗微控制器系统均可兼容。这种宽压特性极大地提升了其应用灵活性，避免了电平转换电路的设计复杂性。该芯片内置了片上锁存和电荷泵电路，确保在低电压条件下仍能可靠地完成写入操作，并维持稳定的编程电压。其I2C接口遵循标准协议，支持多设备共享总线，通过地址引脚可配置器件地址，允许在同一条I2C总线上连接多个EEPROM或其他外设而不会发生冲突。该器件具有固定的设备地址前缀‘1010’，并通过一个地址引脚（A0）实现最多两个设备的寻址选择，适用于需要少量扩展存储的应用场景。
　　该芯片集成了硬件写保护功能，当WP引脚接地时，允许正常读写操作；拉高或接VCC时，则禁止所有写操作，有效防止因系统异常、噪声干扰或程序跑飞导致的关键数据被误修改。这一机制显著增强了系统的鲁棒性和数据安全性，特别适用于存储校准参数、序列号或用户配置等重要信息的场合。在写入过程中，内部自动定时电路管理擦除和编程周期，无需外部干预，简化了软件设计。每次写操作后会启动一个典型的5ms自定时写周期，在此期间器件不响应新的命令，主机需通过轮询方式确认写操作完成。
　　BR24S16FVT-WE2采用高可靠性的CMOS工艺制造，具备出色的抗干扰能力和温度稳定性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适合严苛环境下的长期使用。其超低待机电流（典型值0.1μA）使其成为电池供电设备的理想选择，有助于延长设备续航时间。封装采用SOT-23-5小型化设计，占用PCB面积极小，便于在空间受限的产品中部署。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环保法规的要求。整体而言，BR24S16FVT-WE2是一款高性能、高集成度、高可靠性的串行EEPROM解决方案，兼顾了功耗、尺寸与稳定性，广泛适用于各类嵌入式存储需求。

BR24S16FVT-WE2广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的非易失性存储场景。常见于便携式消费类电子产品中，如蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机等设备中用于存储配对信息、设备ID或用户设置参数。在工业自动化领域，该芯片可用于传感器模块中保存校准系数、量程设定或设备标识信息，确保每次上电后能准确恢复工作状态。在家用电器控制系统中，例如空调、洗衣机、微波炉等，它可用来记录用户偏好设置、运行次数或故障代码，提升用户体验与维护便利性。在通信模块和物联网节点中，该芯片常作为配置存储器，保存网络参数、MAC地址或固件版本信息，支持设备快速初始化和远程管理。此外，在医疗监测设备如体温计、血压计中，BR24S16FVT-WE2可用于存储患者测量记录或设备校准数据，保障数据持久性和准确性。由于其支持宽电压范围和低功耗特性，也适用于由纽扣电池或能量采集系统供电的无线传感节点。在汽车电子中的非关键子系统中，如车内照明控制、门控模块或座椅记忆设置中也有潜在应用。总之，任何需要在断电后保留少量关键数据的嵌入式系统，都是BR24S16FVT-WE2的适用领域。

M24C16-FDW6TP/K
　　AT24C16D-XHM-T
　　CAT24C16WI-GT3