型号：G4PC60U
　　制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：功率MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：600V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：4A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))@10V VGS：1.2Ω 最大值
　　导通电阻(RDS(on))@5V VGS：1.4Ω 最大值
　　栅极电荷(Qg)@10V VGS：47nC 典型值
　　输入电容(Ciss)：1100pF 典型值
　　输出电容(Coss)：47pF 典型值
　　反向恢复时间(trr)：35ns 典型值
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：TO-220FP
　　安装类型：通孔

G4PC60U采用了ST先进的SuperMESH4技术，这是一种优化的平面栅极高压MOSFET工艺，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。该技术通过精细控制掺杂分布和元胞密度，在保证高击穿电压的同时实现了极低的RDS(on)，使得器件在高负载条件下仍能保持较低温升。这种低导通电阻特性对于提高电源系统的效率至关重要，尤其是在轻载和满载工况下均需满足能源之星或CoC Tier 2等能效规范的应用中。
　　该器件具备出色的动态性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这有助于减小驱动损耗并加快开关速度，进而降低高频工作时的开关损耗。同时，较低的输入电容（Ciss）也减少了对驱动电路的要求，使控制器更容易驱动该MOSFET，特别适用于使用电流模式PWM控制器的电源设计。
　　G4PC60U内置的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），有效抑制了关断过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统可靠性。这一特性在反激式转换器中尤为重要，因为主开关管关断时变压器漏感引起的电压振荡可能损坏器件。此外，该器件具有高雪崩能量承受能力，能够在异常工况（如过压、雷击浪涌）下提供更强的鲁棒性保护，延长设备寿命。
　　从热管理角度看，TO-220FP封装提供了优良的散热路径，允许将热量高效传导至散热片，确保长时间运行时结温处于安全范围内。该器件还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，避免因噪声干扰导致误触发。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ +150°C）使其适用于恶劣环境下的工业和户外应用。

G4PC60U广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，典型用途包括：AC-DC适配器和充电器，尤其是笔记本电脑、打印机和其他消费类电子产品的外置电源；液晶电视和显示器的内置电源模块（SMPS），其中需要高效率和高可靠性的主开关管；LED照明驱动电源，特别是在高功率LED路灯、工矿灯等需要长寿命和高稳定性的场合；光伏微逆变器中的DC-DC升压级或DC-AC桥臂开关；工业电源和UPS不间断电源中的辅助电源和主功率级；电机驱动电路中的高压侧开关元件。
　　在反激式拓扑中，G4PC60U常作为主功率开关使用，其600V额定电压足以应对整流后约380V的直流母线电压，并留有足够的安全裕度以应对线路波动和瞬态过压情况。其低RDS(on)和快速开关特性有助于实现高于88%的转换效率，并满足待机功耗低于1W的绿色节能要求。在LLC谐振转换器中，它也可用于半桥或全桥配置中，配合ZVS软开关技术进一步降低损耗。
　　此外，G4PC60U也被用于PFC（功率因数校正）电路中作为升压开关管，帮助提升输入端的功率因数至0.9以上，减少谐波污染，符合IEC 61000-3-2等电磁兼容性标准。其耐用性和一致性使其成为OEM厂商在批量生产中优选的功率器件之一。

STP4NK60ZFP, STP4NC60ND, FQP6N60C, IRFBC40