BR24L32F-WE2 是一款由 Panasonic 生产的铁电随机存取存储器(FRAM),具有非易失性存储功能。它结合了 RAM 的高速读写特性和闪存的非易失性,使其成为需要频繁数据记录和低功耗应用的理想选择。
该芯片采用 SO6 封装形式,工作电压范围为 1.8V 至 3.6V,支持 I2C 接口通信协议,具备高达 100 年的数据保存能力和超过 10^12 次的读写耐久性。
容量:32Kb
接口类型:I2C
工作电压:1.8V ~ 3.6V
封装形式:SO6
温度范围:-40°C ~ +85°C
数据保存时间:100年
读写耐久性:>10^12次
BR24L32F-WE2 提供了非常高的读写耐久性,适合需要频繁记录数据的应用场景。它的非易失性特性确保了在断电后数据不会丢失,同时由于其低功耗设计,特别适用于电池供电设备。
该芯片支持标准模式、快速模式以及快速加模式下的 I2C 通信速度,最高可达 3.4Mbps。此外,它还内置了写保护功能以防止意外写入或修改数据。
相比传统 EEPROM 和闪存,BR24L32F-WE2 具有更快的写入速度、更低的工作电流和更高的抗辐射能力,这些特点使其非常适合工业控制、医疗设备、消费类电子产品等领域。
BR24L32F-WE2 主要应用于需要高可靠性、低功耗和高频数据记录的场景中,包括但不限于以下领域:
1. 工业自动化系统中的数据日志记录;
2. 医疗器械中的病人信息存储;
3. 消费电子设备中的设置参数保存;
4. 计量仪器中的校准数据存储;
5. 物联网设备中的配置文件备份。
由于其卓越的性能,这款 FRAM 芯片也常用于汽车电子系统中的事件数据记录器(EDR)和黑匣子应用。
BR24H32F, BR24T32F, MB85RC32T