型号：BR211-280
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　晶体管极性：N-Channel
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：2.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　导通电阻 Rds(on) max @ VGS = 4.5V：65mΩ
　　导通电阻 Rds(on) max @ VGS = 2.5V：95mΩ
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：35pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境（Rth(j-a)）：250°C/W
　　极性：N-Channel

BR211-280具备多项关键性能特征，使其在同类小信号N沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在VGS = 4.5V条件下，Rds(on)最大仅为65mΩ，在VGS = 2.5V时也仅为95mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性尤其适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，低Rds(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，从而减少了对复杂散热设计的需求，有利于简化PCB布局。
　　其次，BR211-280具有非常低的阈值电压（Vth），典型值约为0.8V，最低可至0.6V。这意味着它可以在低至1.8V的逻辑电平下可靠开启，非常适合现代微控制器、FPGA或DSP等低压数字IC的直接驱动应用。这种低Vth特性使得设计者无需使用额外的栅极驱动芯片，即可实现高效的开关控制，从而降低系统成本和复杂度。
　　第三，该器件拥有优良的开关特性。其输入电容（Ciss）为320pF，反向传输电容（Crss）仅为35pF，这些较低的寄生电容值有助于减少开关过程中的电荷注入和米勒效应，从而加快开关速度并减少开关损耗。开启延迟时间（td(on)）约8ns，关断延迟时间（td(off)）约15ns，表明其具备快速响应能力，适用于高达数百kHz甚至1MHz以上的高频开关场景，如同步整流、DC-DC buck/boost变换器等。
　　此外，BR211-280采用SOT-23小型封装，在提供良好电气性能的同时，极大节省了PCB空间。该封装具有良好的热传导性能，并可通过适当的PCB铜箔设计有效散热。器件还具备高可靠性，符合AEC-Q101车规级认证（如适用型号），支持-55°C至+150°C的工作结温范围，适用于工业级和汽车电子环境。内置的体二极管也具备一定的反向恢复能力，可在感性负载切换时提供保护路径。

BR211-280的应用领域十分广泛，主要集中在需要高效、小型化和低压驱动的开关控制场合。在便携式电子产品中，它常被用作电池电源的负载开关，控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和电源管理。例如，在智能手机和平板电脑中，可用于开启或关闭显示屏背光、摄像头模组或无线通信模块的供电路径，通过微控制器的GPIO引脚直接驱动BR211-280的栅极，实现精确的电源域控制。
　　在DC-DC转换器电路中，BR211-280可作为同步整流MOSFET使用，特别是在降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构中替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和功耗，提高转换效率。由于其低Rds(on)和快速开关特性，特别适合用于轻载或中等负载条件下的高效电源设计。
　　此外，该器件也适用于电机驱动应用，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关。在这些应用中，BR211-280能够承受频繁的开关操作，并提供稳定的电流控制能力。它还可用于LED驱动电路中的开关元件，实现亮度调节或开关控制。
　　在工业控制和自动化设备中，BR211-280可用于传感器模块、继电器驱动或信号路由开关，因其高可靠性和宽温度范围而受到青睐。同时，由于其符合绿色环保标准（无铅、符合RoHS），也适用于消费类电子和智能家居产品的设计中。

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　　 "DMG2117U-7",
　　 "AO3400",
　　 "Si2300DS",
　　 "FDS6680A",
　　 "BSS138"
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