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BR210-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/5/8 17:13:47 查看 阅读:6

BR210-AU_R1_000A1是一款双路高压保护二极管阵列,专门用于ESD(静电放电)保护和瞬态电压抑制。该器件具有低电容和快速响应时间的特性,适用于高速数据线和信号线的保护。它能够有效防止因静电放电、雷击和其他瞬态电压波动引起的损坏,广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。

参数

工作电压:±24V
  峰值脉冲电流:5A
  电容:1.8pF
  响应时间:≤1ns
  结电容:3pF
  漏电流:1nA
  封装形式:SOD-123

特性

BR210-AU_R1_000A1具备低电容设计,从而减少了对信号完整性的干扰,特别适合高速信号传输应用。
  其快速的响应时间能够迅速抑制瞬态电压尖峰,确保受保护电路的安全运行。
  此外,该器件还具有高可靠性、小尺寸和易于安装的特点,非常适合现代电子设备的小型化和集成化需求。

应用

这款二极管阵列常用于USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线路的保护。
  在手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他便携式电子设备中,BR210-AU_R1_000A1可以提供有效的ESD防护。
  同时,它也适用于工业自动化设备中的传感器接口和通信模块的保护。

替代型号

BR210-AU, PESD2V8R1BA, SM712

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BR210-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)1,800 : ¥0.76642卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800 mV @ 2 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容75pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C