时间：2025/7/1 21:31:15
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HMK325B7104KFHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和直流-直流转换等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，封装形式为 TO-263（DPAK），适用于各种需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：1.2nF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
HMK325B7104KFHT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 4mΩ，有助于降低功耗并提高效率。
2. 高开关速度设计，栅极电荷较低 (65nC)，可减少开关损耗。
3. 高温适应能力，支持 -55℃ 至 175℃ 的宽温度范围，适用于严苛的工作环境。
4. 强大的散热性能，得益于其 DPAK 封装形式，能够有效散发热量。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 具备较高的雪崩击穿能量 (EAS) 和短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
这款功率 MOSFET 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
6. LED 驱动电路及太阳能逆变器中作为功率开关使用。
HMK325B7105KFHT, HMK325B7106KFHT, IRF3205
