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BPW85B 发布时间 时间:2025/5/10 19:22:04 查看 阅读:10

BPW85B是一种硅PIN光电二极管,广泛应用于各种光电信号转换场景。该器件具有高灵敏度、低暗电流和快速响应时间等特点,适合于可见光和近红外波长范围内的应用。
  BPW85B采用透明树脂封装,能够有效保护内部结构的同时确保良好的光学性能。其设计使其非常适合需要精确检测微弱光信号的应用场合。

参数

类型:光电二极管
  材料:硅(Si)
  波长范围:450nm至1100nm
  峰值灵敏度波长:950nm
  光电流:70A/W(典型值,在λ=950nm条件下)
  暗电流:1nA(最大值,在25°C时)
  响应时间:3μs(典型值)
  正向电压:1V(典型值,在If=1mA条件下)
  反向电压:50V(最大值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

BPW85B的主要特性包括高灵敏度,这使得它能够在较弱的光照条件下进行有效的信号检测。此外,它的低暗电流特性减少了噪声干扰,从而提高了测量精度。
  快速的响应时间使BPW85B适用于动态光信号处理应用,例如脉冲信号的检测。器件的工作温度范围广,可以在极端环境条件下稳定运行。
  另外,BPW85B对近红外光特别敏感,因此在诸如遥控器接收端、光纤通信以及工业自动化传感器等应用中表现出色。

应用

BPW85B常见于多种光电子设备中,例如自动光圈控制、烟雾探测器、接近传感器和位置传感器。
  此外,它也被用于医疗设备中的光体积描记图(PPG)应用以及消费类电子产品中的红外接收模块。
  由于其出色的性能,BPW85B还被集成到更复杂的系统中,如条形码扫描仪、激光测距仪以及其他需要精确光信号检测的仪器。

替代型号

BPW85S,BPW85T

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BPW85B参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类Phototransistors
  • 最大功率耗散100 mW
  • 最大暗电流200 nA
  • 封装 / 箱体T-1
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO70 V
  • 集电极—射极饱和电压0.3 V
  • 最大工作温度+ 100 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Bulk
  • 产品Phototransistor
  • 工厂包装数量5000
  • 类型Chip
  • 波长850 nm