BPSNPEWE 是由 Renesas(瑞萨电子)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻(Rds(on))和高开关性能,适用于高效能、高频率的电源系统设计。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):600 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):11 A
导通电阻(Rds(on)):典型值 450 mΩ(在 Vgs=10V)
功率耗散(Ptot):80 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
BPSNPEWE 具备出色的导通性能和开关特性,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低功率损耗,提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力使其适用于多种中高功率应用场景,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、电机驱动和照明电源等。
此外,BPSNPEWE 采用了高可靠性的封装技术,确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,便于与各种控制电路(如微控制器、PWM 控制器)配合使用。
BPSNPEWE 常用于各种电力电子系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、工业电源设备、LED 照明驱动、电机控制电路、电池管理系统、光伏逆变器和不间断电源(UPS)等。其高耐压、高效率和高可靠性的特点,使其成为许多高性能电源应用中的理想选择。
STP12NM60ND, FQA13N60C, IRFGB40N60B