时间：2025/8/30 21:18:20
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BPSNPEWE 是由 Renesas（瑞萨电子）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于高效能、高频率的电源系统设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：600 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：11 A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 450 mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：80 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
BPSNPEWE 具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力使其适用于多种中高功率应用场景，如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、电机驱动和照明电源等。
此外，BPSNPEWE 采用了高可靠性的封装技术，确保在高温和高负载条件下仍能稳定工作。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路（如微控制器、PWM 控制器）配合使用。
BPSNPEWE 常用于各种电力电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、工业电源设备、LED 照明驱动、电机控制电路、电池管理系统、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等。其高耐压、高效率和高可靠性的特点，使其成为许多高性能电源应用中的理想选择。
STP12NM60ND, FQA13N60C, IRFGB40N60B
