时间：2025/7/17 19:41:59
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BML03HM 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率的电源管理应用。这款 MOSFET 适用于需要低导通电阻和高可靠性的场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。BML03HM 采用紧凑型封装，使得它非常适合用于空间受限的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：3.1 A
最大漏源电压：30 V
导通电阻：0.045 Ω（最大）
栅极阈值电压：1.5 V 至 2.5 V
最大栅极电压：±20 V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
BML03HM 具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件的栅极阈值电压范围适中，确保在多种驱动条件下都能可靠导通。
此外，BML03HM 的最大漏源电压为 30V，使其适用于多种中低压应用。其紧凑的 SOT-23 封装形式不仅节省空间，还提高了 PCB 布局的灵活性。该 MOSFET 的最大漏极电流为 3.1A，足以应对许多中等功率需求的应用场景。
这款 MOSFET 还具备较高的热稳定性和耐用性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。其工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适合多种工业级应用。同时，BML03HM 的栅极电压耐受能力高达 ±20V，增加了在不同电路配置中的适用性。
BML03HM 常用于 DC-DC 转换器中的开关元件，以提高能量转换效率。它也适用于负载开关电路，用于控制电源的开启与关闭，从而实现节能管理。此外，这款 MOSFET 可用于电池管理系统，确保电池充放电过程的安全性和高效性。
由于其封装小巧且性能稳定，BML03HM 还适合用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和其他移动设备。在工业自动化和控制系统中，它也可以用于驱动继电器、传感器和其他外围设备。
该 MOSFET 还可用于电机控制应用，提供可靠的开关性能，适用于小型电机或风扇的控制电路。
Si2302DS, 2N3904, IRLL2703N
