时间：2025/9/4 8:13:27
阅读：20
BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的电源管理领域。这款MOSFET采用先进的半导体技术，提供出色的电气性能和热稳定性。
类型：功率MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
封装类型：DFN10
工作温度范围：-55°C至150°C
BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) MOSFET具有低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。其先进的封装技术提供了良好的散热性能，使器件能够在较高的电流下稳定工作。此外，该器件的栅极驱动电压较低，适合用于低电压控制电路。MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。
BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) MOSFET适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备。此外，它也常用于便携式电子设备中的高效能电源管理系统，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
Si2302DS、FDN340P、AO3400
