BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) 是一款由 Rohm(罗姆)公司制造的功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和低导通电阻的电源管理领域。这款MOSFET采用先进的半导体技术,提供出色的电气性能和热稳定性。
类型:功率MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
漏极电流(Id):6A
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω
封装类型:DFN10
工作温度范围:-55°C至150°C
BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) MOSFET具有低导通电阻,有助于降低导通损耗并提高效率。其先进的封装技术提供了良好的散热性能,使器件能够在较高的电流下稳定工作。此外,该器件的栅极驱动电压较低,适合用于低电压控制电路。MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在恶劣的工作环境下保持可靠性。
BM29B0.6-2DP/2-0.35V(51) MOSFET适用于多种电源管理应用,包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备。此外,它也常用于便携式电子设备中的高效能电源管理系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
Si2302DS、FDN340P、AO3400