BM28B0.6-30DP/2-0.35V(53) 是一款由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的功率MOSFET模块,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。该模块集成了多个MOSFET器件,采用双电源封装设计,支持高频率开关操作,适用于工业电源、逆变器、电机控制等场景。
漏源电压(Vds):30V
漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):0.6毫欧
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:DP封装
引脚数:53
栅极电荷(Qg):35nC
输入电容(Ciss):1200pF
最大耗散功率(Pd):150W
BM28B0.6-30DP/2-0.35V(53) 采用先进的沟槽栅极技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了能效。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现尤为出色,发热更低,可靠性更高。
该模块具有优异的热管理性能,通过优化的封装设计实现更好的散热效果,确保在高负载条件下的稳定运行。此外,模块的封装设计符合RoHS标准,具有良好的环境适应性。
内置的双电源引脚设计有效降低了电源回路的寄生电感,提升了高频开关性能,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。这对于需要高频率工作的应用,如DC-DC转换器和逆变器,是非常重要的优势。
BM28B0.6-30DP/2-0.35V(53) 还具备良好的短路耐受能力和过热保护功能,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行,提高了系统的整体安全性。
BM28B0.6-30DP/2-0.35V(53) 常用于工业自动化设备中的电源管理模块,如伺服驱动器、变频器和电机控制器。在电动汽车和混合动力汽车领域,该模块可用于车载充电器、DC-AC逆变器以及电池管理系统中,以实现高效的能量转换和管理。
此外,该模块还广泛应用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源(UPS)等新能源领域设备中,满足高效率和高可靠性需求。在消费类电子产品中,如高性能计算机电源和服务器电源系统,该模块也能提供稳定可靠的功率输出,支持设备的高效运行。
由于其优异的电气性能和坚固的封装结构,BM28B0.6-30DP/2-0.35V(53) 也适用于军工和航空航天领域的高可靠性系统中,确保在极端环境下的稳定工作。
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