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BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 发布时间 时间:2025/9/5 1:33:33 查看 阅读:6

BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用紧凑型封装设计,具备良好的热稳定性和电气性能,适合在电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(Id):30A
  漏极-源极击穿电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.8mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:DP(双面散热)
  引脚间距:0.35mm
  产品型号后缀:895

特性

BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 的主要特性包括其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的 N 沟道结构设计支持较高的电流承载能力,同时具备良好的热管理能力,使其能够在高负载条件下稳定工作。
  此外,该 MOSFET 采用了 ROHM 独特的功率封装技术,支持双面散热(DP 封装),从而有效降低芯片温度并提升系统的可靠性。其 ±20V 的栅极-源极电压范围提供了更高的设计灵活性,并能抵御瞬态电压波动。

应用

BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 广泛应用于需要高效率功率转换的场合。例如,在电源管理系统中,它可以用作负载开关或 DC-DC 转换器中的主开关元件,以实现高效的能量传输。该器件也适用于电池供电设备,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,用于优化电池使用效率并延长续航时间。

替代型号

R6004END、SiSS64DN、FDMS7680、NTMFS4C10N、IPB013N04NG

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