时间：2025/9/5 1:33:33
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BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用紧凑型封装设计，具备良好的热稳定性和电气性能，适合在电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：30A
漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DP（双面散热）
引脚间距：0.35mm
产品型号后缀：895
BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 的主要特性包括其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件的 N 沟道结构设计支持较高的电流承载能力，同时具备良好的热管理能力，使其能够在高负载条件下稳定工作。
此外，该 MOSFET 采用了 ROHM 独特的功率封装技术，支持双面散热（DP 封装），从而有效降低芯片温度并提升系统的可靠性。其 ±20V 的栅极-源极电压范围提供了更高的设计灵活性，并能抵御瞬态电压波动。
BM23PF0.8-30DP-0.35V(895) 广泛应用于需要高效率功率转换的场合。例如，在电源管理系统中，它可以用作负载开关或 DC-DC 转换器中的主开关元件，以实现高效的能量传输。该器件也适用于电池供电设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，用于优化电池使用效率并延长续航时间。
R6004END、SiSS64DN、FDMS7680、NTMFS4C10N、IPB013N04NG
