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BM23FR0.6-12DP-0.35V(878) 发布时间 时间:2025/9/4 22:28:25 查看 阅读:10

BM23FR0.6-12DP-0.35V(878) 是一款由ROHM(罗姆)公司生产的非易失性FRAM(铁电随机存取存储器)存储器芯片。该芯片结合了RAM的高速读写能力和非易失性存储器的特性,能够在断电后依然保留数据,具有高可靠性和长寿命。该型号封装为小型DFN(Dual Flat No-lead)封装,适用于对空间要求较高的嵌入式系统和工业设备。

参数

容量:2Kbit
  组织方式:256 x 8位
  接口类型:I2C接口
  工作电压:0.6V 至 3.6V
  最大时钟频率:1MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:DFN8(双列扁平无引脚封装)
  写入耐久性:10^10次/位
  数据保持时间:10年(无需电源)

特性

BM23FR0.6-12DP-0.35V(878) 采用ROHM先进的铁电存储器技术,具备独特的非易失性和高速读写能力。与传统的EEPROM或Flash存储器相比,它无需写入等待时间,支持即时数据存储,极大地提高了系统的响应速度。该芯片具有极低的功耗,适用于电池供电设备和低功耗应用场景。其宽电压工作范围(0.6V至3.6V)使其兼容多种电源系统,包括使用单节电池供电的设备。
  该芯片的I2C接口支持标准和快速模式,通信速率高达1MHz,能够满足高速数据交换的需求。其封装尺寸小巧(DFN8),适合用于空间受限的设计中,例如智能传感器、可穿戴设备、医疗监测设备和工业控制模块等。此外,该芯片具备出色的抗辐射能力和高可靠性,可在严苛的工业环境中稳定运行。
  由于其非易失性特性,BM23FR0.6-12DP-0.35V(878) 可用于替代EEPROM、SRAM加电池备份等传统存储方案,减少系统复杂性和维护成本。其高达10^10次/位的写入耐久性远超EEPROM和Flash,特别适合频繁写入数据的应用场景,如日志记录、传感器数据缓存、设备状态存储等。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、智能仪表、医疗监测设备、RFID标签、智能卡终端、安防系统、车载电子设备以及低功耗物联网设备中。在需要频繁写入并长期保存数据的场景中尤为适用,例如工厂PLC系统中的运行参数存储、远程传感器的采集数据缓存、便携式健康监测设备的数据记录等。

替代型号

FM24V02A-GTR(Ramtron/Cypress)、MB85RC256VPAF-G-BR(Fujitsu/Fujitsu Semiconductor)、CY15B102Q-SXIT(Cypress/Infineon)

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