类型：FRAM
　　容量：2K位
　　组织结构：256 x 8位
　　工作电压：0.6V 至 10V
　　接口类型：I2C
　　最大时钟频率：400kHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSSOP
　　引脚数量：8引脚
　　数据保持时间：10年
　　写入耐久性：10^10次

BM23FR0.6-10DS-0.35V(895) FRAM芯片的最大特点是其非易失性和极高的写入耐久性，能够承受高达10^10次的写入操作，远远超过传统EEPROM和Flash存储器的写入寿命限制。其工作电压范围非常宽泛，从0.6V到10V，这使得它能够适应各种电源环境，并在低电压条件下仍能稳定运行，非常适合用于低功耗和电池供电设备。此外，该芯片支持I2C接口，兼容标准的串行通信协议，方便与各种微控制器进行连接和数据交换。其高速读写能力使得它在需要频繁更新数据的应用中表现出色，避免了传统EEPROM写入延迟的问题。BM23FR0.6-10DS-0.35V(895)还具有良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内正常工作，适用于工业级和车载应用。该芯片采用TSSOP封装，体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中。
　　此外，BM23FR0.6-10DS-0.35V(895)具备低功耗待机模式，在不进行数据读写时自动进入低功耗状态，从而延长设备的电池寿命。它还具有自动地址递增功能，支持连续读写操作，提高数据处理效率。同时，该芯片具备高抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。这些特性使得BM23FR0.6-10DS-0.35V(895)在各种高端应用中成为理想的选择，特别是在对数据存储可靠性和性能要求较高的场合。

BM23FR0.6-10DS-0.35V(895) FRAM芯片广泛应用于需要高频写入、低功耗和高可靠性的系统中。常见的应用包括智能电表（如电能表、燃气表和水表）中的数据记录和存储，工业自动化系统中的实时数据缓存，医疗设备中的患者数据存储和设备状态记录，以及各种便携式电子设备中的非易失性存储解决方案。此外，该芯片也可用于汽车电子系统，如车载诊断系统（OBD）、行车记录仪和电池管理系统（BMS），在这些应用中提供稳定、可靠的数据存储支持。

FM24V02-GTR, CYFRAM-256LR-S