BM20B(0.6)-10DP-0.4V(51) 是一种高性能、低功耗的半导体器件,主要用于工业控制、电源管理及通信设备中。该型号属于ROHM(罗姆)公司生产的一系列MOSFET产品,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于需要高效能和稳定性的应用场合。
类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
封装形式:表面贴装型(SOP)
漏极电流(ID):20A
漏源电压(VDS):100V
导通电阻(RDS(on)):0.4Ω
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
功率耗散(PD):2.0W
栅极阈值电压(VGS(th)):1V~3V
输入电容(Ciss):900pF
安装类型:表面贴装
BM20B(0.6)-10DP-0.4V(51) 采用了先进的沟槽式MOSFET技术,使其在导通状态下具有极低的电阻,从而显著降低导通损耗。该器件在设计上优化了热阻性能,确保在高电流条件下仍能保持良好的散热能力。此外,该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性,能够在各种严苛的工作环境中长时间运行,适用于需要高可靠性的工业设备。其快速开关特性也使其适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、马达驱动器和电源管理系统等。BM20B(0.6)-10DP-0.4V(51) 还具备良好的抗静电能力和过温保护功能,进一步增强了器件的使用寿命和安全性。此外,该型号的封装设计紧凑,适合在空间受限的PCB布局中使用,有助于节省电路板空间并提高系统集成度。
BM20B(0.6)-10DP-0.4V(51) 主要应用于工业自动化控制设备、电机驱动器、电源适配器、LED照明驱动电路、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器以及各类高频开关电源设备。此外,该器件也常用于汽车电子系统,如车载充电器、电子控制单元(ECU)等场合,以确保高效能和稳定运行。由于其良好的导热性能和紧凑的封装结构,该MOSFET也适用于需要高集成度和高可靠性的嵌入式系统和便携式电子产品。
SiHF10N100E, FDPF10N100, FQP10N100