类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：1.6A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：0.54V @ 1A（每芯片）
　　最大反向电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 60V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SC-70-3L 或等效小型表面贴装封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

BM16B-ZESS-TBT的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值仅为0.54V（在1A条件下），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的转换效率。这一优势在电池供电设备或需要长时间运行的低功耗系统中尤为重要。低VF得益于其采用的高性能肖特基势垒结构，利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，实现了近乎零反向恢复时间（trr），极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这种快速响应能力使其非常适合高频开关应用，例如在高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器中作为续流或整流二极管使用。
　　该器件采用双二极管共阴极配置，即在一个微型SC-70-3L封装内集成两个独立的肖特基二极管，共享一个阴极引脚。这种设计不仅有效节约了印刷电路板（PCB）的空间，还简化了布线复杂度，特别适用于紧凑型电源模块和高密度集成电子产品。此外，由于其小型化封装，热管理成为关键考量因素；但BM16B-ZESS-TBT通过优化芯片布局和材料选择，在保证小体积的同时维持了良好的散热性能，可在+150°C的最高结温下持续工作，展现出出色的热稳定性。
　　另一个重要特性是其高可靠性与环境适应性。该器件通过AEC-Q101应力测试认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动等恶劣条件下仍能保持稳定的电气性能，因此可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动、电机控制等汽车电子子系统。同时，它符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造趋势。此外，器件具有较低的反向漏电流（典型值0.1μA@60V），即使在高温环境下也能保持较好的关断特性，防止不必要的功耗增加和误动作风险。综合来看，BM16B-ZESS-TBT凭借其高效、紧凑、可靠的特点，成为众多中低功率电源拓扑中的优选解决方案。

BM16B-ZESS-TBT主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高效率和小体积设计的场合。其典型应用场景包括但不限于：DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，用于提供电感电流回路并减少能量损失；在AC-DC适配器或充电器中作为输出整流元件，提升整体能效表现；在电池管理系统（BMS）或电源路径控制电路中实现防反接和电流隔离功能，保护后级电路免受反向电压损害；还可用于信号整流、电压钳位以及ESD保护电路中，利用其快速响应特性抑制瞬态过压。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、无线耳机等便携式设备中，BM16B-ZESS-TBT常被用于电源管理单元（PMU）周边电路，协助实现高效的电压调节与电能分配。其小型SC-70封装非常契合这些产品对轻薄化和高集成度的需求。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电电路、继电器驱动电路中的飞轮二极管，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护开关元件（如MOSFET或晶体管）不受损坏。
　　由于其通过AEC-Q101车规认证，BM16B-ZESS-TBT也被广泛应用于汽车电子系统中，例如车载导航、仪表盘显示、车内照明驱动、车载摄像头电源等非主安全相关的低压电源模块。此外，在LED照明驱动电源中，该二极管可用于恒流源电路中的辅助整流或反馈回路中的隔离功能，确保光源稳定工作。总之，无论是在民用、工业还是车载环境中，只要涉及中小电流、中低电压的整流与保护需求，BM16B-ZESS-TBT都能提供可靠且高效的解决方案。

RB751V-60