时间：2025/6/17 6:11:29
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SQCB7M0R6BATME 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片。该器件属于 Trench 沟槽技术的功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路中。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡，以提供高效能表现。
该器件采用 DPAK (TO-252) 封装形式，具有良好的散热性能和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：84A
导通电阻（典型值）：3.6mΩ
栅极电荷：36nC
反向恢复时间：11ns
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：DPAK (TO-252)
SQCB7M0R6BATME 具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，从而提高整体系统的效率。
该器件的沟槽式结构显著提高了单位面积内的电流密度，并且具备快速的开关速度，适合高频应用环境。
同时，它具有较强的雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
由于采用了优化的热设计，SQCB7M0R6BATME 可以在高功率密度的应用场景中表现出色，适用于要求严格的工作场合。
此外，这款 MOSFET 的引脚布局符合行业标准，易于集成到现有的 PCB 设计中。
SQCB7M0R6BATME 主要应用于各种高功率密度的电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电动工具中的电机驱动
- 工业自动化控制中的负载开关
- 电动汽车充电系统
- 通信电源及服务器电源模块
SQJ738EP
SQJ738EP-H
FDP8749P
IRF7749TRPBF
