类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：1.5 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：6 A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5 Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：25 pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：15 pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　最大功耗（PD）：50 W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

BLY93H的核心特性之一是其高达600V的漏源击穿电压，使其非常适合用于离线式开关电源设计，尤其是在反激式（Flyback）拓扑结构中作为主开关管使用。该电压等级可以满足全球范围内交流输入电压的整流后高压需求，无需额外的降压电路即可直接接入PFC输出端或整流滤波后的母线电压。同时，其较低的导通电阻（典型值4.5Ω）有助于降低导通损耗，提升整体能效，特别是在轻载和中等负载条件下表现出色。
　　另一个显著特点是其快速的开关响应能力，得益于较小的输入和输出电容（分别为25pF和15pF），使得器件在高频工作环境下仍能保持较低的开关损耗。这对于现代高效率、高功率密度电源系统至关重要，例如手机充电器、笔记本适配器和LED驱动电源等产品中，有助于实现更高的工作频率从而缩小磁性元件体积。
　　BLY93H还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大功耗可达50W（在壳温25°C时），结合SOT-223封装良好的散热性能，可通过PCB铜箔进行有效散热。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境温度下依然可靠运行。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，BLY93H采用平面硅栅技术和均匀掺杂的外延层设计，提升了器件的一致性和长期稳定性。其栅极氧化层经过严格质量控制，能够承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号异常导致的栅极击穿问题。同时，阈值电压范围设定在2.0V到4.0V之间，既能保证足够的噪声容限，又可兼容多种常见的PWM控制器驱动电平，如3.3V或5V逻辑信号直接驱动。
　　综上所述，BLY93H凭借其高耐压、低导通电阻、小寄生电容和优异的热管理能力，在中小功率开关电源领域展现出强大的竞争力，是追求高效、紧凑和可靠设计的理想选择。

BLY93H主要应用于各类中小型开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适用于反激式、正激式等隔离型拓扑结构的主开关器件。常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、路由器电源模块及小型LED照明驱动电源中，用于将整流后的高压直流电转换为稳定的低压直流输出。由于其600V的高耐压能力，可以直接连接经过桥式整流和滤波后的市电母线电压（约300–400VDC），无需额外的电压钳位或预降压电路，简化了系统设计。
　　在工业控制领域，BLY93H可用于PLC电源模块、传感器供电单元和继电器驱动电路中的DC-DC转换部分，提供稳定可靠的隔离电源。其SOT-223封装便于自动化贴片生产，适合批量制造，且具备良好的散热性能，可在密闭空间内长期稳定运行。
　　此外，该器件也适用于某些射频功率放大电路或脉冲调制系统中，作为高速开关元件使用。例如在无线感应加热、超声波发生器或小型激光驱动电路中，利用其快速开关特性实现精确的能量控制。
　　在消费类电子产品中，BLY93H被广泛用于智能音箱、监控摄像头、智能家居网关等设备的内部电源管理模块中，支持宽输入电压范围和高转换效率的需求。其低静态功耗和高动态响应能力有助于延长待机时间并提升用户体验。
　　由于其具备良好的抗干扰能力和温度适应性，BLY93H也可用于车载电子辅助电源系统（如车载充电器或逆变器）中，在点火瞬间或负载突变情况下仍能保持稳定工作。总体而言，该器件适用于所有需要高耐压、小尺寸、高效率和高可靠性的功率开关场景。

STP6NK60ZFP
　　FQP6N60FP
　　KSP6N60FM