类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：80 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5 V
　　集电极电流（IC）：100 mA
　　功率耗散（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 600
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23

BLW76晶体管具备优异的高频性能和稳定的直流电流增益，适用于多种模拟与数字电路应用场景。其典型的过渡频率（fT）达到100 MHz，意味着该器件能够在高频信号处理中有效工作，如射频前端模块中的小信号放大、振荡器电路以及高速逻辑门驱动等场合。高fT值结合低输入输出电容，使得BLW76在高频条件下仍能保持良好的增益和响应速度，减少了信号失真和延迟问题。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围为100至600，具有较高的增益一致性，这有助于简化电路设计并提高系统稳定性。在放大电路中，高且稳定的hFE可以减少外部补偿元件的需求，从而降低整体成本和PCB面积占用。同时，BLW76在不同温度和负载条件下的增益漂移较小，确保了在宽环境温度范围内（-55°C至+150°C）仍能维持可靠的性能表现。
　　BLW76的集电极电流额定值为100 mA，足以驱动继电器、LED指示灯、小型蜂鸣器或其他低功率负载，在开关应用中表现出快速的开启和关断能力。其较低的饱和电压（VCE(sat)）通常在160 mV左右（IC = 10 mA, IB = 0.5 mA），有助于减少导通损耗，提升能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。
　　采用SOT-23封装形式，BLW76具有极小的占位面积（约2.9 mm × 1.3 mm），非常适合空间受限的应用场景，如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点和微型控制器模块。该封装还具备良好的热传导性能，可通过PCB走线有效散热，避免局部过热导致的性能下降或器件损坏。
　　此外，BLW76具有较高的电压耐受能力，集电极-发射极电压可达80 V，使其可用于较高电压的接口电路或隔离级设计中，例如连接微控制器与高压外围设备之间的电平转换或缓冲电路。这种宽电压适应性增强了其在工业自动化、楼宇控制和汽车电子中的适用性。

BLW76广泛应用于各类需要小信号放大或开关控制的电子系统中。常见用途包括音频前置放大器、信号调理电路、传感器接口放大器以及有源滤波器等模拟应用领域。在这些场景下，其高增益和低噪声特性有助于提升信噪比和信号完整性。
　　在数字电路中，BLW76常被用作逻辑电平转换器、LED驱动器、继电器驱动开关或MOSFET栅极驱动器。例如，在微控制器输出无法直接驱动较高电压或电流负载时，BLW76可作为中间缓冲级，实现安全高效的信号传递与功率切换。
　　该器件也适用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的电源管理或状态指示电路。其小型封装和低功耗特性非常契合这类产品对尺寸和能效的严格要求。
　　在工业控制系统中，BLW76可用于光电耦合器的驱动级、PLC输入/输出模块的信号隔离与放大，以及各种传感器信号的初级处理环节。其宽温度工作范围和高可靠性确保了在恶劣工业环境下的长期稳定运行。
　　此外，BLW76还可用于DC-DC转换器中的反馈控制环路、振荡电路或脉冲调制（PWM）信号的整形与放大，支持多种拓扑结构下的辅助功能实现。由于其价格低廉且供货稳定，已成为许多标准电路设计中的首选三极管之一。

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　　 "BC847B",
　　 "BC847C",
　　 "2N3904",
　　 "MMBT3904",
　　 "PBSS5215DN"
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