类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极最大连续电流（IC）：100mA
　　峰值集电极电流（ICM）：200mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 - 300（典型值）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　导通状态电压（VCE(sat)）：≤ 0.3V（在 IC = 10mA, IB = 1mA 条件下）
　　输入电容（Cib）：约 10pF（在 VCE = 5V, f = 1MHz 条件下）

08FMZ-ST(LF)(SN) 具备优异的高频响应能力，其过渡频率（fT）高达 200MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，如射频前端模块、音频前置放大器以及高速开关应用。这使得该晶体管能够在保持信号完整性的同时实现快速开关动作，减少延迟和失真。
　　该器件具有较高的直流电流增益（hFE），通常在 100 到 300 之间，表现出良好的电流控制能力，能够在微弱输入信号下驱动较大的负载电流，提升了系统的灵敏度与效率。这种高增益特性对于需要精确信号放大的模拟电路尤为重要，例如传感器信号调理或低电平信号放大。
　　采用 SOT-23 超小型表面贴装封装，极大节省了 PCB 空间，适用于高密度布局的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和无线通信模块。同时，该封装具备良好的热传导性能，在正常工作条件下能够有效散热，保障长期运行稳定性。
　　该晶体管支持宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在恶劣环境条件下可靠运行，增强了产品在工业级和汽车电子应用中的适应性。此外，其低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.3V）有助于降低功耗，提高能效，特别适合电池供电系统。
　　器件符合 RoHS 标准，采用无铅制造工艺和纯锡镀层，不仅环保，还提高了焊接的可靠性和一致性，避免了传统含铅焊料带来的健康与环境风险。整体设计兼顾性能、尺寸、功耗与环保要求，是一款理想的通用型小信号晶体管。

08FMZ-ST(LF)(SN) 广泛应用于各类消费类电子产品中的小信号处理与开关控制场景。常见用途包括音频放大器的前置级放大电路，用于提升微弱声音信号的幅度，确保后续处理阶段有足够的信号强度。
　　在数字逻辑电路中，它可用于电平转换、信号缓冲和驱动低功率负载，例如连接微控制器与外围设备之间的接口电路，实现高效的信号传递与隔离。
　　该晶体管也常用于 LED 驱动电路，特别是在指示灯或小型背光系统中，作为开关元件控制电流通断，因其响应速度快、导通电阻低而表现优异。
　　在射频（RF）应用中，凭借其高达 200MHz 的过渡频率，可用于 UHF 波段的小信号放大，适用于无线遥控、蓝牙模块、Wi-Fi 收发器等通信设备的前端信号增强。
　　此外，它还可用于传感器信号调理电路，将来自温度、光强、压力等传感器的微弱电信号进行初步放大和整形，以便于主控芯片采集和处理。
　　由于其小型化封装和高可靠性，也被广泛用于便携式医疗设备、智能卡读写器、电源管理开关、DC-DC 转换器中的反馈控制环路以及各种嵌入式控制系统中，是一款高度通用且易于集成的分立半导体器件。

MMBT3904, 2N3904, BC847B, FMMT215, ZXTN2150E