型号：BLV95
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（@25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大功耗（Ptot）：125 W（@25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55 Ω（@Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：50 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：260 pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：—
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263 (D2PAK)

BLV95具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻Rds(on)，这直接减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体效率。该器件在VGS=10V条件下测得的Rds(on)仅为0.55Ω，意味着在通过较大电流时仍能保持较低的温升，从而延长了使用寿命并提高了系统的可靠性。同时，BLV95采用了优化的晶圆设计与封装技术，确保了良好的热传导性能，即使在高负载条件下也能有效散热。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，最大漏源电压可达500V，使其适用于多种高压开关电路，如离线式SMPS（开关模式电源）、荧光灯镇流器以及感应加热设备等。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在遭遇意外过压事件时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　BLV95的栅极电荷Qg相对适中，约为50nC，这意味着它可以在不过度增加驱动电路负担的前提下实现较快的开关速度，有助于减少开关损耗，特别是在高频工作环境中表现突出。输入电容Ciss和输出电容Coss分别为1100pF和260pF，这些参数经过精心平衡，既能保证足够的驱动兼容性，又不会因寄生电容过大而导致严重的开关延迟或振荡问题。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件，包括高温工业现场和低温户外设备。其封装形式为TO-220或TO-263，不仅机械强度高，而且便于集成到PCB板上，并可通过外接散热片进一步提升散热效果。综上所述，BLV95是一款集高性能、高可靠性和良好热管理于一体的功率MOSFET，非常适合用于对效率和稳定性要求较高的中等功率电力电子系统中。

BLV95常用于各类开关电源拓扑结构中，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）转换器，尤其适合于离线式AC-DC电源设计。在这些应用中，BLV95作为主开关元件，承担着将交流输入整流后的高压直流进行斩波的任务，其高耐压和低导通电阻特性可显著提升电源效率并降低发热。
　　此外，BLV95也广泛应用于DC-DC变换器，尤其是在升压（Boost）、降压（Buck）和升降压（Buck-Boost）电路中，作为功率开关使用。这类应用常见于太阳能逆变器、LED驱动电源、电池管理系统以及车载电源系统等领域。
　　在电机驱动方面，BLV95可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与方向控制。由于其具备良好的开关响应能力和电流承载能力，能够满足动态负载变化的需求。
　　其他典型应用还包括电子镇流器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热装置以及各类工业自动化控制系统中的功率切换模块。凭借其坚固的结构设计和稳定的电气性能，BLV95在长时间连续运行和频繁启停的工况下均表现出色，是工业级电源和功率控制设备的理想选择。

STP6NK50ZFP
　　STP7NK50ZFP
　　IRFBC40
　　FQA7N50