型号：1SS355TFTE-17
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装/外壳：SOD-723（SC-109A）
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大直流反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：150mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：0.5V @ 10mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 30V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1（无限）

1SS355TFTE-17的核心优势在于其卓越的高频响应能力和低功耗特性，这得益于其肖特基势垒结构的设计原理。与传统的PN结二极管不同，肖特基二极管利用金属-半导体接触形成势垒，而非P-N结，因此不存在少数载流子的储存效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr仅为4ns）。这一特性使其在高频开关电路中表现出色，例如在DC-DC转换器、同步整流辅助电路或高速信号解调中能有效减少开关损耗，提升整体能效。此外，低正向导通电压（典型值0.5V@10mA）意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于提高系统的热稳定性，特别是在空间受限的小型化设备中尤为重要。
　　该器件还具备优异的反向漏电流控制能力，在额定电压下的最大反向漏电流仅为10μA，保证了在待机或低功耗模式下的电路性能稳定性。尽管肖特基二极管普遍存在的问题是相对较高的反向漏电和较低的击穿电压，但1SS355TFTE-17在30V的反向耐压范围内达到了良好的平衡，适用于大多数低压电源管理场景。其SOD-723超小型封装不仅节省PCB面积，而且支持自动化贴片生产，提升了制造效率。此外，该产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置试验和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。对于需要微型化、高效率和高可靠性的现代电子系统而言，1SS355TFTE-17是一个理想的选择，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点、便携式医疗仪器等前沿领域。

1SS355TFTE-17广泛应用于各类小型化、低功耗和高频工作的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，如在电池充电电路中作为防反接二极管使用，防止电池反向连接导致系统损坏；在DC-DC升压或降压转换器中用于续流或箝位功能，利用其快速响应和低VF特性来提高转换效率；在USB接口、传感器信号线或数据通信线路中作为静电放电（ESD）保护元件，吸收瞬态高压脉冲，保护后端敏感IC不受损害。
　　此外，该器件也常用于逻辑电平转换电路中，实现不同电压域之间的信号隔离与传递，例如将3.3V信号安全地耦合到5V系统中，避免电压倒灌。在射频（RF）前端模块或无线通信设备中，可用于检波或包络检测电路，凭借其快速响应能力准确还原调制信号。由于其体积小巧且性能稳定，也被大量应用于智能家居设备、智能手表、TWS耳机、蓝牙模块、GPS接收器等高度集成的嵌入式系统中。工业控制领域的传感器接口、PLC输入调理电路以及汽车电子中的低功率辅助电路也是其典型应用场景。总之，凡是需要高效、紧凑、可靠的单向导通功能的地方，1SS355TFTE-17都能发挥重要作用。

PMZTA,115