时间：2025/5/14 16:45:17
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BLP04N10-P 是一款 N 沟道逻辑增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的封装技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，适合用于消费电子、工业设备和通信系统中的电源转换和负载切换。
这款 MOSFET 的额定电压为 100V，具备优异的热性能和电气特性，能够显著提升系统的效率和稳定性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4A
导通电阻：250mΩ
栅极电荷：3.5nC
开关时间：典型值 t_on=8ns，t_off=16ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
BLP04N10-P 具有以下主要特性：
1. 额定电压高达 100V，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速的开关速度，可减少开关损耗并支持高频操作。
4. 栅极电荷较小，驱动更加简单且高效。
5. 宽温度范围操作，适应多种恶劣工况。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 小型化封装，节省 PCB 空间。
BLP04N10-P 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路，例如锂电池管理系统中的负载开关。
4. LED 驱动器，用于调节电流以实现精确亮度控制。
5. 各种电机驱动和继电器替代方案。
6. 电信设备中的信号路由和电源管理。
7. 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
BLP04N10L, STP4NB100DP, IRLML6402
