时间：2025/5/8 19:03:09
阅读：16
BLP03N10-P 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (e-Mode GaN FET)，专为高频和高效能应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于电源转换、电机驱动以及工业自动化等领域。
BLP03N10-P 的耐压值为 100V，并且具有出色的热性能和可靠性，使其成为传统硅基 MOSFET 的高性能替代方案。
额定电压：100V
最大漏极电流：3A
导通电阻：6.5mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1240pF
输出电容：135pF
反向恢复时间：无（GaN 器件）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
BLP03N10-P 具有以下显著特点：
1. 高效的开关性能，适合高频应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗。
3. 内置增强型 GaN 晶体管，确保高可靠性和稳定性。
4. 小巧的封装尺寸，节省 PCB 空间。
5. 出色的热性能，提高系统的整体效率。
6. 支持快速开关，减少开关损耗并提升系统效能。
7. 无需外部二极管，简化电路设计。
8. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
BLP03N10-P 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制。
3. 可再生能源系统中的功率逆变器。
4. 电池充电器及 UPS 系统。
5. 汽车电子中的负载开关和 DCM/CRM PFC。
6. 工业设备中的电源管理模块。
7. LED 驱动器及其他高频开关应用。
BLP03N10-E, BLP03N10-M
