时间：2025/5/19 18:11:11
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BL8064CB3TR28是一款高效能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
BL8064CB3TR28的设计旨在满足现代电子产品对高效率、小体积和低功耗的需求，其封装形式为TO-252（DPAK），能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：ton=10ns, toff=18ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
6. 提供优异的热稳定性和电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器的核心元件。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的充电管理电路。
IRFZ44N
AO3400
FDP5800
