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BL170N10TB 发布时间 时间:2025/6/3 19:32:45 查看 阅读:4

BL170N10TB是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率开关的场景。该器件采用TO-252封装,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合中低电压应用环境。
  这款MOSFET在设计时着重优化了其开关特性和热性能,能够在高温环境下保持稳定的运行状态,同时提供高可靠性和长寿命。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:6.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.17Ω(典型值,在Vgs=10V条件下)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  输入电容:350pF(典型值)
  开关时间:ton=10ns,toff=20ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

BL170N10TB具备出色的电气性能和可靠性,以下是其主要特点:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,能够减少开关损耗并提高系统效率。
  3. 良好的热稳定性,确保在高温条件下持续稳定运行。
  4. 小巧的TO-252封装形式,便于PCB布局并节省空间。
  5. 较高的雪崩击穿能量耐受能力,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。
  7. 支持表面贴装技术(SMD),简化制造流程并提升生产效率。

应用

BL170N10TB适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
  5. 汽车电子中的负载控制和保护功能。
  6. LED驱动器中的电流调节与开关控制。
  7. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输控制。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06
  FDP5500
  AO3400