时间：2025/6/3 19:32:45
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BL170N10TB是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率开关的场景。该器件采用TO-252封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合中低电压应用环境。
这款MOSFET在设计时着重优化了其开关特性和热性能，能够在高温环境下保持稳定的运行状态，同时提供高可靠性和长寿命。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω（典型值，在Vgs=10V条件下）
栅极电荷：8nC（典型值）
输入电容：350pF（典型值）
开关时间：ton=10ns，toff=20ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
BL170N10TB具备出色的电气性能和可靠性，以下是其主要特点：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力，能够减少开关损耗并提高系统效率。
3. 良好的热稳定性，确保在高温条件下持续稳定运行。
4. 小巧的TO-252封装形式，便于PCB布局并节省空间。
5. 较高的雪崩击穿能量耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
7. 支持表面贴装技术（SMD），简化制造流程并提升生产效率。
BL170N10TB适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
5. 汽车电子中的负载控制和保护功能。
6. LED驱动器中的电流调节与开关控制。
7. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输控制。
IRF540N
STP55NF06
FDP5500
AO3400
