类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：15A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220、DPAK
　　功率耗散（Pd）：125W
　　栅极电荷（Qg）：34nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1300pF（典型值）

BL15N05 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。由于其 Rds(on) 值较低，该器件在高电流条件下仍能保持良好的热性能，从而减少散热器的需求或尺寸。此外，BL15N05 具有较高的耐压能力，其漏源击穿电压为 500V，使其适用于高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　该 MOSFET 还具有良好的高频开关特性，适用于高频变换器和逆变器系统。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高系统的整体效率。输入电容（Ciss）也经过优化，使得驱动电路的负担较小，适合用于 PWM 控制系统。
　　BL15N05 采用 TO-220 或 DPAK 封装，具有良好的散热性能，适合安装在各种 PCB 板上。封装设计确保了器件在高功率条件下的稳定运行，同时提供了良好的机械强度和热传导性能。此外，该器件的可靠性较高，适用于工业级和消费级应用。

BL15N05 主要应用于需要高耐压和中高功率的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，BL15N05 可用于主开关器件，提供高效率的功率转换。在电机驱动系统中，它可作为 H 桥结构中的功率开关，控制电机的正反转和速度调节。此外，该 MOSFET 还广泛用于 DC-DC 升压或降压转换器，如笔记本电脑电源适配器、太阳能逆变器和 LED 驱动电源。
　　在电池管理系统中，BL15N05 可用于电池充放电控制电路，实现高效的能量管理。同时，它也可用于 UPS（不间断电源）、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制电路。由于其高频开关特性，BL15N05 也可用于音频功率放大器中的 D 类放大器拓扑结构。

常见的替代型号包括 IRF840、IRF740、FQP15N05、STP15NF06、IRF150、IXTH15N50C。这些器件具有相似的电气特性和封装形式，但使用前应仔细核对规格书以确保兼容性。