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K9HCG08U1M-PIB0 发布时间 时间:2025/5/26 15:51:03 查看 阅读:14

K9HCG08U1M-PIB0 是一款由三星(Samsung)制造的 NAND Flash 存储芯片。该型号属于 K9 系列,主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品以及需要大容量数据存储的场景。这款芯片采用先进的制程工艺,具备高可靠性和快速的数据传输能力。
  该芯片内部结构基于多层单元(MLC)技术,能够在每个存储单元中存储多位数据,从而实现更高的存储密度和成本效益。

参数

容量:8Gb (1GB)
  接口类型: Toggle DDR Mode / ONFI 2.1
  工作电压:Vcc = 3.3V ± 0.3V, Vccq = 1.8V ± 0.15V
  数据传输速率:最高可达 133 MT/s (Toggle 模式)
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:48

特性

K9HCG08U1M-PIB0 具备以下显著特性:
  1. 高密度存储:该芯片提供 8Gb 的存储容量,适用于对存储空间要求较高的应用场景。
  2. 快速读写性能:支持 Toggle DDR 和 ONFI 2.1 接口规范,确保高速数据传输。
  3. 可靠性与耐用性:采用三星成熟的 NAND 技术,具有较长的使用寿命和较低的误码率。
  4. 多种操作模式:支持多种命令集,便于与不同主控芯片兼容。
  5. 节能设计:通过优化电源管理,降低功耗,适合便携式设备使用。
  6. 广泛的工作温度范围:能够适应各种环境条件下的稳定运行,满足工业级需求。

应用

K9HCG08U1M-PIB0 主要应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗仪器等。
  2. 消费电子:包括智能手机、平板电脑、数码相机等。
  3. 数据记录设备:如行车记录仪、监控摄像头等。
  4. 物联网终端:为智能家居、可穿戴设备提供可靠的存储解决方案。
  5. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储组件之一,提升整体性能。

替代型号

K9HCG08U1A, K9HCG08U1M-BPIB0

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