BL050N03-S8 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和高效开关应用而设计。该器件采用了先进的 GaN 技术,能够提供更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的功率密度。其封装形式为行业标准 SMD 封装,便于在高密度电路板上使用。
这款芯片适用于电源适配器、DC-DC 转换器、快充设备以及其他需要高效能和小体积的电力电子设备。
额定电压:300V
额定电流:50A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:45nC
开关频率:最高可达 2MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装类型:S8
BL050N03-S8 的主要特性包括以下几点:
1. 高效的氮化镓(GaN)材料提供了更低的导通损耗和开关损耗,使得系统效率显著提升。
2. 快速开关能力,支持高达 2MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
3. 极低的寄生电感,优化了高频条件下的性能。
4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片在实际环境中的可靠性。
5. 紧凑的 SMD 封装设计节省了 PCB 布局空间。
6. 宽工作温度范围确保了在极端条件下依然具备稳定的性能。
BL050N03-S8 广泛应用于以下领域:
1. USB-PD 充电器和其他便携式设备的快速充电解决方案。
2. DC-DC 转换器,例如服务器和通信设备中的电源模块。
3. LED 驱动器及照明系统。
4. 无线充电设备中的高效功率转换。
5. 工业级开关电源(SMPS)和电机驱动器控制单元。
6. 消费类电子产品中的高性能电源管理模块。
BL050N03L-S8