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BL050N03-S8 发布时间 时间:2025/5/27 14:20:11 查看 阅读:12

BL050N03-S8 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频和高效开关应用而设计。该器件采用了先进的 GaN 技术,能够提供更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的功率密度。其封装形式为行业标准 SMD 封装,便于在高密度电路板上使用。
  这款芯片适用于电源适配器、DC-DC 转换器、快充设备以及其他需要高效能和小体积的电力电子设备。

参数

额定电压:300V
  额定电流:50A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关频率:最高可达 2MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装类型:S8

特性

BL050N03-S8 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效的氮化镓(GaN)材料提供了更低的导通损耗和开关损耗,使得系统效率显著提升。
  2. 快速开关能力,支持高达 2MHz 的开关频率,非常适合高频应用。
  3. 极低的寄生电感,优化了高频条件下的性能。
  4. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片在实际环境中的可靠性。
  5. 紧凑的 SMD 封装设计节省了 PCB 布局空间。
  6. 宽工作温度范围确保了在极端条件下依然具备稳定的性能。

应用

BL050N03-S8 广泛应用于以下领域:
  1. USB-PD 充电器和其他便携式设备的快速充电解决方案。
  2. DC-DC 转换器,例如服务器和通信设备中的电源模块。
  3. LED 驱动器及照明系统。
  4. 无线充电设备中的高效功率转换。
  5. 工业级开关电源(SMPS)和电机驱动器控制单元。
  6. 消费类电子产品中的高性能电源管理模块。

替代型号

BL050N03L-S8