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BL03N10-3L 发布时间 时间:2025/5/10 14:59:23 查看 阅读:24

BL03N10-3L是一种基于硅材料制造的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电路中,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它采用TO-252封装形式,适用于需要高效功率转换和高可靠性的电子设备。
  BL03N10-3L的工作电压为30V,适合低压应用场景,能够提供较高的电流处理能力,同时保持较低的功耗。这种MOSFET在消费类电子产品、工业控制和汽车电子等领域有着广泛的应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:280pF
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252

特性

BL03N10-3L的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,并支持高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 小型化的TO-252封装,节省了印刷电路板的空间,同时提供了良好的散热性能。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其可以在极端环境下稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

BL03N10-3L适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. LED驱动器中的电流调节。
  5. 各种负载切换和保护电路。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  由于其高性能和可靠性,BL03N10-3L成为许多工程师在设计低压大电流应用时的理想选择。

替代型号

BL03N10-3LD
  IRLR7843PBF
  FDMQ8204
  STP16NF06L