时间：2025/6/27 5:17:27
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K9F1G08UOC-PCBO 是由三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片。该型号属于早期的NAND Flash系列，采用3.3V电源电压设计，主要用于嵌入式存储设备、数码相机、MP3播放器和其他消费类电子产品中。其容量为1Gb（128MB），采用8位数据总线接口，并支持标准的NAND Flash命令集。
该芯片具备快速写入和擦除特性，能够满足当时对高密度数据存储的需求。随着技术的发展，此类器件已经被更高密度和性能更优的NAND Flash所取代，但在一些老旧系统或特定应用中仍然可能被使用。
容量：1Gb (128MB)
接口：8位数据总线
工作电压：3.3V
封装形式：TSOP-48
数据传输速率：最高可达11MB/s
擦除区块大小：128KB
编程页大小：512字节
工作温度范围：0°C 至 70°C
存储温度范围：-40°C 至 85°C
K9F1G08UOC-PCBO具有以下显著特性：
1. 高密度存储：单颗芯片即可提供1Gb的存储容量，在当时属于高密度存储方案。
2. 快速读写能力：支持快速的数据写入与擦除操作，适合需要频繁更新数据的应用场景。
3. 简化的命令集：采用标准化的NAND Flash命令协议，便于系统集成。
4. 可靠性高：具备内置的错误检测和纠正功能，确保数据的完整性。
5. 小型封装：TSOP-48封装形式使得该芯片适合应用于空间受限的便携式设备中。
6. 节能设计：较低的工作电压（3.3V）有助于降低功耗，延长电池供电设备的使用寿命。
K9F1G08UOC-PCBO广泛应用于以下领域：
1. 嵌入式系统：如工业控制设备、家用电器中的固件存储。
2. 消费类电子产品：包括MP3播放器、电子书阅读器、数码相机等设备的数据存储。
3. 移动通信设备：用于手机或其他移动终端中的应用程序和用户数据存储。
4. 固态存储设备：早期的USB闪存盘和SD卡可能采用了类似的NAND Flash芯片。
尽管该型号已经停产，但在一些需要兼容性和稳定性的旧系统中仍可能见到其身影。
K9F1G08U0C-PBBO, K9F1G08U0D-PBBO
