时间：2025/6/3 9:34:49
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BL020N04TB 是一款 N 沣道通的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 Trench 技术制造。它主要用于需要低导通电阻和快速开关性能的应用场合，如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块等。该器件具有出色的热性能和电气性能，能够有效降低系统功耗并提高效率。
型号：BL020N04TB
类型：N 沓 FET
最大漏源电压 (Vds)：40V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大连续漏极电流 (Id)：20A
导通电阻 (Rds(on))：3.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷 (Qg)：29nC
输入电容 (Ciss)：2650pF
输出电容 (Coss)：280pF
反向传输电容 (Crss)：135pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BL020N04TB 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著减少传导损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强可靠性。
4. 小型封装，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 支持高电流负载，适用于多种功率转换场景。
这些特性使其成为高效能功率管理的理想选择。
BL020N04TB 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
3. 工业电机驱动和逆变器。
4. LED 驱动电路。
5. 消费电子设备中的负载开关。
6. 通信设备中的电源管理。
其高效率和可靠性使得 BL020N04TB 在现代电力电子系统中表现出色。
BSC020N04LS G,
IPW20N04L,
STP20NF04LT,
FDMF8810
