类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 10Ω（在 VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.5V 至 3.0V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23、SC-59 等

BSS138 IC 具有多个显著的技术特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，它的低导通电阻 RDS(on) 使得在导通状态下功率损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。其次，BSS138 的栅极电荷较低，使其能够实现快速的开关操作，适用于高频开关应用。此外，该器件具有较高的击穿电压（VDS 最大为 100V），可以在相对较高的电压环境下工作而不会失效。BSS138 的封装形式（如 SOT-23）体积小巧，便于在 PCB 布局中节省空间，同时也有助于散热。该 MOSFET 还具有良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作，适用于工业级和消费类电子产品。
　　在实际应用中，BSS138 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 到 10V 之间即可充分导通。这一特性使其能够与常见的逻辑电平（如 5V 或 3.3V）兼容，从而简化了设计并降低了外围电路的复杂度。此外，BSS138 的漏极和源极之间具有良好的隔离特性，在关闭状态下漏电流极小，确保了电路的稳定性。由于其增强型特性，BSS138 在栅极电压为零时处于关闭状态，避免了意外导通的风险。这些特性使得 BSS138 在各种低功耗、低电压应用中表现出色。

BSS138 广泛应用于多种电子设备和系统中。常见用途包括负载开关、电平转换器、信号多路复用器、电源管理系统以及低电压逻辑电路中的控制元件。在数字电路中，BSS138 可用于驱动 LED、小型继电器或其他低功耗负载。此外，它也常用于电池供电设备中，以实现对不同功能模块的电源管理，延长电池寿命。在通信设备中，BSS138 可用于控制信号路径的切换，提供可靠的信号路由功能。其小尺寸封装也使其成为便携式设备和高密度 PCB 设计中的理想选择。

2N7000, FDV301N, SI2302DS, 2N3904