时间：2025/9/3 23:36:09
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BK20104M241 是由 Broadcom（安华高）生产的一款射频功率晶体管，属于 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）类别。该器件主要用于高功率射频放大器应用，适用于通信基础设施、雷达系统和测试设备等领域。BK20104M241 具有高功率密度、高效率和高线性度的特点，适合在2.4 GHz频段附近工作。
类型：GaN HEMT
频率范围：2.3 GHz - 2.5 GHz
输出功率：120 W
漏极电压：65 V
栅极电压：-5.5 V
增益：15 dB
效率：60%
输入驻波比（VSWR）：2.5:1
封装类型：金属陶瓷封装
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BK20104M241 采用先进的氮化镓技术，具有卓越的射频性能和可靠性。其高功率密度使其在有限的空间内实现高效的功率放大。
该器件具有出色的热管理和耐高温能力，能够在恶劣环境下稳定工作。
其高效率和高线性度特性使其适用于需要高保真度信号放大的通信系统。
此外，BK20104M241 具有良好的输入匹配性能，简化了外围电路的设计，降低了整体系统的复杂性。
它还具备较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业级和军事级应用环境。
BK20104M241 主要应用于无线通信基站、Wi-Fi 6E接入点、雷达系统、测试与测量设备、以及需要高功率射频放大的工业控制系统。
其高功率输出和稳定性使其成为2.4 GHz频段无线基础设施的理想选择。
在军事和航空航天领域，该器件可用于雷达发射器和通信设备的射频功率放大环节。
此外，它也适用于宽带无线接入系统和数字广播发射设备。
CGH40120, GaN0403P01, NPT1007
