BH3868BFS-E2 时间：2025/12/25 13:14:46 阅读：12

BH3868BFS-E2是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）推出的低功耗、高精度霍尔效应传感器IC，专为无接触式位置检测和速度测量应用设计。该器件采用CMOS工艺制造，具备优异的温度稳定性和抗外部干扰能力，适用于工业自动化、消费电子、白色家电以及汽车电子等多种环境。BH3868BFS-E2集成了电压调节器、霍尔感应元件、信号放大器、施密特触发整形电路以及开漏输出驱动器，能够在宽电压范围内稳定工作，并对外部磁场变化做出快速响应。该芯片对南北极磁场均敏感，当检测到足够强度的磁场时，输出端会根据预设逻辑切换状态，从而实现非接触式的开关控制功能。其内置的噪声抑制机制和迟滞特性有效防止了输出抖动，提升了系统在复杂电磁环境下的可靠性。此外，BH3868BFS-E2采用小型SOT-23封装，便于在空间受限的应用中进行高密度布局，同时支持回流焊工艺，适合现代自动化生产线使用。

参数

型号：BH3868BFS-E2
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　封装类型：SOT-23
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V
　　工作电流（典型值）：4.5μA（待机模式），6.5μA（连续工作模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　输出类型：开漏输出
　　磁感应阈值（Bop）：典型值3.5mT，最大值4.5mT
　　释放阈值（Brp）：典型值1.5mT，最小值0.5mT
　　磁滞宽度（Bhys）：典型值2.0mT
　　响应时间：典型值1.5ms
　　ESD耐受能力（HBM）：±4kV
　　电源反接保护：不支持
　　灵敏度方向：垂直于封装表面
　　引脚数量：3
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

BH3868BFS-E2霍尔传感器具有出色的低功耗性能，特别适用于电池供电或对能效要求较高的应用场景。其工作电流在待机模式下可低至4.5μA，在连续检测模式下也仅为6.5μA左右，显著延长了系统的续航时间。该芯片内部集成稳压电路，使其能在2.5V至5.5V的宽电压范围内正常运行，兼容多种主流逻辑电平系统，如3.3V与5V微控制器接口，无需额外电平转换即可直接连接。得益于CMOS工艺和精密补偿技术，器件在整个工作温度区间（-40°C至+125°C）内保持稳定的磁性响应特性，避免因温漂导致误动作。
　　BH3868BFS-E2具备良好的抗噪能力和内置磁滞功能，磁滞宽度典型值为2.0mT，能够有效消除因机械振动或外部干扰引起的输出振荡，确保每次磁场变化仅触发一次干净的电平跳变。其开漏输出结构允许用户通过外接上拉电阻灵活配置输出电平，适配不同的负载需求和通信协议。此外，该传感器对垂直于封装顶面的磁场方向最为敏感，适用于旋转编码器、门盖检测、液位传感等需要精确位置判断的场合。SOT-23小型化封装不仅节省PCB空间，还提高了组装效率，符合现代电子产品微型化趋势。整体设计兼顾性能、可靠性和易用性，是替代传统机械开关的理想选择。

应用

BH3868BFS-E2广泛应用于各类需要非接触式位置检测的电子系统中。在消费类电子产品中，常用于智能手机翻盖检测、智能手表表带识别、无线耳机盒盖感应等功能模块，提升用户体验的同时增强设备耐用性。在家用电器领域，可用于洗衣机门锁状态监测、冰箱门开闭提醒、抽油烟机风门控制等场景，实现智能化联动控制。工业控制系统中，该芯片可用于电机转速测量、旋转编码器反馈、阀门位置检测等任务，提高系统自动化水平和运行稳定性。在汽车电子方面，尽管不属于车规级AEC-Q100认证产品，但仍可用于部分车载辅助装置，如后备箱微开检测、手套箱位置识别等非关键性功能。此外，还可用于物联网终端设备中的运动状态感知单元，配合MCU实现低功耗唤醒机制。由于其高灵敏度和稳定性，也可用于安防系统中的门窗磁控报警器，提供可靠的入侵检测能力。总体而言，BH3868BFS-E2凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，成为众多开关类传感应用的理想解决方案。