BH25FB1WG 时间：2025/11/8 8:47:28 阅读：14

BH25FB1WG是罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的一款低功耗、高精度的霍尔效应传感器IC，专为无接触式位置检测和速度感应应用设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备高灵敏度和出色的温度稳定性，能够在宽电压范围内稳定工作，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多种场景。BH25FB1WG集成了霍尔元件、前置放大器、施密特触发器以及输出驱动电路，能够直接输出数字信号，简化了外部电路设计。其内部采用动态偏移取消技术，有效抑制了热漂移和机械应力带来的误差，提升了长期工作的可靠性与精度。该芯片封装小巧，通常采用SOT-923或DFN1010封装形式，适合空间受限的应用场合。此外，器件具备反向电压保护、过热保护等多重安全机制，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。

参数

类型：数字霍尔效应传感器
　　供电电压：1.65V ~ 5.5V
　　工作电流（典型值）：3.5μA（省电模式），1.2mA（连续工作模式）
　　输出类型：开漏输出
　　磁感应强度（Bop）：典型3.5mT（南极为有效面）
　　释放点（Brp）：典型1.5mT
　　回差（Bhys）：典型2.0mT
　　响应时间：典型50ms（可配置）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DFN1010（1.0mm x 1.0mm x 0.55mm）

特性

BH25FB1WG的核心优势在于其超低功耗设计，特别适用于电池供电设备如可穿戴装置、智能门锁、无线传感器节点等对能效要求极高的应用场景。该芯片支持多种工作模式切换，包括待机模式、单次测量模式和连续测量模式，用户可通过外部控制引脚或内部定时器灵活配置，从而在性能与功耗之间实现最优平衡。其内置的动态偏移消除电路采用斩波稳定（Chopper Stabilization）技术，周期性地反转霍尔板的极性并取平均值，以此抵消由于工艺偏差、温度变化及封装应力引起的静态偏移电压，显著提高检测精度和一致性。
　　该传感器具有优异的抗外部干扰能力，集成的施密特触发器提供了约2.0mT的磁滞，防止在阈值附近因噪声导致输出频繁抖动，确保信号输出的稳定性。输出为开漏结构，便于与不同电平系统进行接口匹配，并支持多器件总线连接。在可靠性方面，BH25FB1WG通过了AEC-Q100车规级认证，可在高温、高湿、强振动环境下长期稳定运行，适用于汽车档位检测、电机转速监控等严苛工况。此外，器件还具备反接保护功能，在电源接反的情况下不会损坏，提高了现场使用的安全性。整体来看，BH25FB1WG是一款集高灵敏度、低功耗、高可靠性和小尺寸于一体的先进霍尔传感器，满足现代电子系统对智能化感知的需求。