类型：数字霍尔效应传感器
　　感应方向：背隙式（Back-Side Sensing）
　　输出类型：开漏输出
　　工作电压范围：1.65 V 至 3.5 V
　　工作电流：典型值 3.5 μA（待机模式），12 μA（工作模式）
　　磁感应强度动作点（Bop）：典型值 ±2.5 mT（双向检测）
　　磁感应释放点（Brp）：典型值 ±1.5 mT
　　磁滞宽度（Bhys）：典型值 1.0 mT
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：XSON4 (1.0mm x 1.0mm x 0.55mm)
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　环保标准：符合 RoHS 和无卤素要求
　　响应时间：典型值 10 μs
　　输出驱动能力：支持上拉电阻至VDD

BH03B-XASS-BN-T(LF)(SN) 具备出色的低功耗性能，是其核心优势之一。该传感器在待机模式下的电流消耗仅为3.5μA，在持续工作模式下也仅约12μA，这使其非常适合用于电池供电的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。低功耗设计不仅延长了设备的续航时间，还减少了热耗散，有助于提升系统整体稳定性。其内部集成了低功耗唤醒机制，能够在检测到磁场变化时快速响应并输出信号，无需MCU持续轮询，从而进一步降低系统级能耗。此外，该器件支持自动休眠与唤醒功能，配合外部磁体运动实现事件触发式工作模式，显著提升了能源利用效率。
　　该传感器采用双向磁极识别技术，能够区分南极和北极磁场，并根据磁极方向切换输出状态。这种双向检测能力使其在位置检测应用中更具灵活性，例如可用于判断滑盖手机的开合方向或智能门锁的锁舌位置。其内置的高精度霍尔元件与温度补偿电路确保了在宽温度范围内（-40°C 至 +85°C）仍能保持稳定的磁感应阈值，避免因环境温度变化导致误动作。施密特触发器设计提供了约1.0mT的磁滞，有效防止输出在临界点附近抖动，提高了抗噪声能力和信号稳定性。
　　封装方面，BH03B-XASS-BN-T(LF)(SN) 采用尺寸仅为1.0mm × 1.0mm × 0.55mm的XSON4超小型封装，极大节省PCB空间，适用于高密度组装场景。背隙式感应设计允许磁铁从芯片底部接近，简化了机械结构设计，便于集成在狭小空间内。开漏输出结构兼容多种电压电平，可通过外部上拉电阻连接到不同逻辑电压系统，增强了与其他电路的接口兼容性。此外，该器件具备良好的抗静电（ESD）能力，HBM模型下可达±4kV，提升了在实际生产与使用中的可靠性。整体电路集成度高，无需外部滤波或放大元件，降低了外围电路复杂度和BOM成本。

BH03B-XASS-BN-T(LF)(SN) 广泛应用于需要非接触式位置检测和运动感知的电子设备中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机的翻盖/滑盖检测、平板电脑的键盘盖状态识别以及智能手环的佩戴检测。其微型封装和低功耗特性使其成为可穿戴设备中理想的磁传感器解决方案。在笔记本电脑中，可用于检测 Lid 开合状态以实现自动唤醒或休眠功能，提升用户体验和能效管理。
　　在智能家居系统中，该传感器可用于智能门锁、智能窗帘和家电面板的位置反馈，实现自动化控制和安全联锁。工业应用方面，适用于小型编码器、电机转速检测、阀门位置监控等场合，尤其适合空间受限但要求高可靠性的设备。此外，在白色家电如洗衣机、洗碗机中，可用于检测门是否关闭到位，确保运行安全。
　　由于其双向磁极识别能力，该器件还可用于旋转方向判别系统，例如在电动工具或风扇中检测电机转向。在物联网（IoT）传感器节点中，结合低功耗MCU，可构建长时间运行的无线磁开关系统，用于资产追踪、安防报警等场景。其高灵敏度和快速响应特性也适用于脉冲计数类应用，如水表、气表中的流量检测。总之，BH03B-XASS-BN-T(LF)(SN) 凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，已成为现代电子系统中不可或缺的基础传感元件。

BH03B-XCSE-TR(LF)(SN)
　　BH03B-XCSS-BE2-T(LF)(SN)
　　RM03B-HR-T