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IXDD604SI 发布时间 时间:2025/8/6 12:53:01 查看 阅读:16

IXDD604SI是一款由IXYS公司生产的高速MOSFET驱动器集成电路,广泛用于电源转换和电机控制应用中。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET和IGBT,具备高输出电流能力和快速开关特性,以确保在高频工作条件下依然保持良好的性能。IXDD604SI采用紧凑的封装形式,适合用于需要高效、高可靠性的电源系统设计。

参数

供电电压:10V至25V
  输出峰值电流:4A(拉电流)/ 4A(灌电流)
  输入信号阈值:TTL/CMOS兼容
  传播延迟:典型值50ns
  上升时间:典型值20ns
  下降时间:典型值15ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

IXDD604SI具有4A的拉灌电流能力,使其能够高效地驱动大功率MOSFET和IGBT器件,适用于高频率开关应用。该驱动器的传播延迟较短,仅为50ns左右,确保了信号传输的快速性和精确性,从而提高了系统的响应速度。输入端兼容TTL和CMOS电平,简化了与控制器的接口设计。此外,该芯片具备较高的抗干扰能力,能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。其SOIC-8封装形式不仅节省空间,还便于PCB布局和散热设计。IXDD604SI内部集成了防止上下桥臂直通的死区时间控制功能,进一步提高了系统的安全性。

应用

IXDD604SI常用于各种电力电子系统,如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源以及工业自动化控制系统。在这些应用中,IXDD604SI能够提供可靠的MOSFET驱动能力,确保功率器件在高频条件下稳定运行。其高输出电流和快速响应特性特别适合用于需要高效率和高性能的功率转换系统。

替代型号

IXDD604PI, IXDD609, TC4420, LM5114

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IXDD604SI参数

  • 标准包装100
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间29ns
  • 电流 - 峰4A
  • 配置数2
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SOIC-EP
  • 包装管件
  • 其它名称CLA332